[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110047251.5
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN113130429A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 兒玉晃忠
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H03F3/60
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 季瑩;方應星

本發(fā)明提供一種半導體裝置。半導體裝置具備晶體管元件、多個輸入導線及多個輸出導線。晶體管元件具有沿著一邊配置有多個的輸入焊盤和沿著與一邊相對的另一邊配置有多個的輸出焊盤。多個輸入導線分別與輸入焊盤連接。多個輸出導線分別與輸出焊盤連接，并具有比多個輸入導線長的導線長度。相鄰的輸入導線彼此平行地配置，相鄰的輸出導線彼此不平行地配置。

技術領域

本申請主張基于2020年1月15日申請的日本申請第2020-004425號的優(yōu)先權，并援引所述日本申請記載的所有記載內容。

本公開涉及半導體裝置。

背景技術

在日本特開2011-239338號公報中記載了高頻電路。在日本特開2012-146910號公報中記載了具備高頻半導體芯片的半導體裝置。

發(fā)明內容

本公開提供半導體裝置。半導體裝置具備晶體管元件、多個輸入導線及多個輸出導線。晶體管元件具有沿著一邊配置有多個的輸入焊盤和沿著與一邊相對的另一邊配置有多個的輸出焊盤。多個輸入導線分別與輸入焊盤連接。多個輸出導線分別與輸出焊盤連接，且比多個輸入導線長。相鄰的輸入導線彼此平行地配置，相鄰的輸出導線彼此不平行地配置。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的半導體裝置的結構的俯視圖。

圖2是將半導體裝置的主要部分放大示出的俯視圖。

圖3是將晶體管元件放大示出的圖。

圖4是圖2所示的半導體裝置的沿著IV-IV線的剖視圖。

圖5是將輸出電路基板及晶體管元件的各一部分放大示出的俯視圖。

圖6是表示作為比較例而多個導線彼此平行的情況的俯視圖。

圖7是表示各晶體管元件具有的輸出焊盤的個數為2的情況下的信號頻率與相位之間的關系的模擬結果的圖表。

圖8是表示各晶體管元件具有的輸出焊盤的個數為4的情況下的信號頻率與相位之間的關系的模擬結果的圖表。

圖9是表示在輸出焊盤的個數為4的情況下的上述模擬中，相對于與位于外側的兩個輸出焊盤連接的各導線串聯地追加了電感器(0.08nH)的情況下的結果的圖表。

圖10是表示使與多個輸出焊盤連接的各導線的長度彼此不同的方式的圖。

圖11是表示在使與多個輸出焊盤連接的各導線的長度彼此不同的方式中，導線與金屬圖案連接的連接位置從方向D1上的金屬圖案的中心偏離了的情況的圖。

圖12是表示在輸出焊盤的個數為4的情況下的上述模擬中，導線與金屬圖案連接的連接位置從金屬圖案的中心偏離了的情況下的信號相位的圖表。

圖13是表示在漏極焊盤的個數為4的情況下的上述模擬中，使導線的形態(tài)成為圖5所示的形態(tài)的情況下的信號頻率與相位之間的關系的圖表。

圖14是一變形例的俯視圖，其將輸出匹配電路基板及晶體管元件的各一部分放大示出。

圖15是表示在上述模擬(漏極焊盤的個數為4的情況下)中，使導線的形態(tài)成為圖14所示的形態(tài)的情況下的信號頻率與相位之間的關系的圖表。

圖16是表示在漏極焊盤的個數為4的情況下的上述模擬中，導線與金屬圖案連接的連接位置從金屬圖案的中心偏離了的情況下的信號相位的圖表。

圖17是表示在變形例中使角度θ變化時的信號頻率與相位之間的關系的圖表，且示出θ＝30°的情況。

圖18是表示在變形例中使角度θ變化時的信號頻率與相位之間的關系的圖表，且示出θ＝50°的情況。