[發明專利]具有漏斗狀氣體分散通道及氣體分配板的原子層沉積腔室在審
| 申請號: | 202110047033.1 | 申請日: | 2016-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN112877675A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 穆罕默德·M·拉希德;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;馬里奧·丹·桑切斯;簡國強;楊義雄;迪帕克·賈達夫;阿什托西·阿咖瓦 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/452 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 漏斗 氣體 分散 通道 分配 原子 沉積 | ||
1.一種用于基板處理腔室的蓋,包括:
蓋板,所述蓋板包括上表面和含輪廓的底表面,所述上表面具有中央開口并且所述含輪廓的底表面具有第一部分和第二部分,所述第一部分從所述中央開口向下且向外延伸至所述蓋板的周邊部,并且所述第二部分沿著所述蓋板的所述周邊部徑向向外延伸;
上凸緣,所述上凸緣從所述蓋板徑向向外延伸;和
一個或多個通道,所述一個或多個通道形成為從所述蓋板的頂表面穿過所述蓋板至所述含輪廓的底表面的所述第二部分。
2.根據權利要求1所述的蓋,其中所述蓋板的所述上表面是平坦的。
3.根據權利要求1所述的蓋,其中所述蓋板的所述上表面和所述含輪廓的底表面的所述第二部分是平行的。
4.根據權利要求1所述的蓋,進一步包括:
O形環溝槽,所述O形環溝槽圍繞所述中央開口設置在所述蓋板的所述上表面中。
5.根據權利要求1所述的蓋,其中所述含輪廓的底表面具有鏡面拋光面。
6.根據權利要求1所述的蓋,其中所述蓋板由金屬制成。
7.根據權利要求1所述的蓋,其中所述蓋板由以下材料制成:鋁、鋁合金、鋼、不銹鋼、上述的合金或上述的組合。
8.根據權利要求1-7任一項所述的蓋,進一步包括:
氣體分配板,所述氣體分配板被構造為耦接至所述蓋板,使得所述蓋板的所述含輪廓的底表面延伸至所述氣體分配板并與所述氣體分配板接觸,其中所述氣體分配板具有穿過所述氣體分配板設置的多個縫隙,使得當所述氣體分配板耦接至所述蓋板時,從所述中央開口到所述氣體分配板下方的區域的唯一路徑通過所述多個縫隙。
9.根據權利要求8所述的蓋,其中所述氣體分配板由非腐蝕性陶瓷材料形成。
10.根據權利要求8所述的蓋,其中所述氣體分配板由鋁氧化物或鋁氮化物形成。
11.根據權利要求8所述的蓋,其中所述多個縫隙的每一者具有等效的流體傳導率。
12.根據權利要求8所述的蓋,其中所述多個縫隙的每個縫隙是具有上部、圓柱中央部和下部的通孔,所述上部具有錐坑孔,所述圓柱中央部垂直延伸至所述氣體分配板的所述上表面,所述下部從所述縫隙的中心向外漸縮。
13.根據權利要求8所述的蓋,其中所述氣體分配板包括中央部和第一階梯部,所述中央部含有所述多個縫隙,所述第一階梯部圍繞所述多個縫隙并被構造為與所述蓋板的所述含輪廓底表面的所述第二部分接合。
14.根據權利要求13所述的蓋,其中所述氣體分配板進一步包括第二階梯部,所述第二階梯部圍繞所述第一階梯部并被構造為與所述蓋板的所述上凸緣接合。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





