[發明專利]一種用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜及制備方法

有效

• 申請號: 202110046919.4
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112885682B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 陳超;龔燕妮;陳坤楊;高海鵬;李曉峰;張春先;潘治云;常樂;王光凡;杜木林
• 申請（專利權）人: 北方夜視技術股份有限公司
• 主分類號: H01J29/04
• 分類號: H01J29/04;H01J31/50;H01J9/12;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/24
• 代理公司: 昆明今威專利商標代理有限公司 53115
• 代理人: 賽曉剛

1.一種用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜，所述多堿光電陰極基底由位于底部的圓柱體和位于所述圓柱體正上方的錐臺組成，所述多堿光電陰極基底的表面由位于基底邊緣處的環形平面、位于所述環形平面以內的錐臺斜面和位于錐臺頂部的中心臺階面三部分組成；其特征在于：

所述的薄膜為在基底上的蒸鍍的鉻層薄膜、銅層薄膜和銀層薄膜；

所述鉻層薄膜蒸鍍在基底的表面，從基底邊緣覆蓋至所述環形平面、錐臺斜面以及中心臺階面的自外向內延伸4mm的范圍；

所述銅層薄膜蒸鍍在所述環形平面內的鉻層薄膜正上方，覆蓋范圍從基底最外側邊緣向內延伸6mm；

所述銀層薄膜蒸鍍在銅層薄膜表面，完全覆蓋銅層薄膜。

2.根據權利要求1所述的用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜，其特征在于：

所述鉻層薄膜的厚度為

3.根據權利要求2所述的用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜，其特征在于：

所述銅層薄膜的厚度為

4.根據權利要求3所述的用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜，其特征在于：

所述銀層薄膜的厚度為

5.一種制備如權利要求1至4任一項所述的用于多堿光電陰極基底的導電及封接薄膜的方法，其特征在于包括以下步驟：

①將多堿光電陰極基底放入鍍鉻用的夾具內，鍍膜機內放入鉻源，將裝有陰極基底的夾具放入鍍膜機內，設定鍍膜厚度，開始鍍膜；

②取出鍍有鉻層的陰極基底放入鍍銅用夾具，鍍膜機內放入銅源和銀源，將鍍膜機程序設定為先鍍銅層，鍍銅結束后，設定蒸鍍銀層，再進行銀層蒸鍍。