[發(fā)明專利]一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110046125.8 | 申請日: | 2021-01-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112886858B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周燕;甘杰;李霏;文世峰;蔡志娟;馬國財(cái);段隆臣;史玉升 | 申請(專利權(quán))人: | 中國地質(zhì)大學(xué)(武漢);北京電子工程總體研究所 |
| 主分類號(hào): | H02N2/02 | 分類號(hào): | H02N2/02 |
| 代理公司: | 武漢知產(chǎn)時(shí)代知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42238 | 代理人: | 張毅 |
| 地址: | 430000 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 打印 技術(shù) 傳感 執(zhí)行 一體化 裝置 | ||
1.一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:裝置包括智能感知伸縮構(gòu)件(1)、位移傳導(dǎo)件(2)、壓電元件(3)和電致驅(qū)動(dòng)執(zhí)行元件(4);所述壓電元件(3)和電致驅(qū)動(dòng)執(zhí)行元件(4)通過導(dǎo)線(5)構(gòu)成閉合電回路;所述位移傳導(dǎo)件(2)的兩端分別與所述智能感知伸縮構(gòu)件(1)和壓電元件(3)相連接,所述智能感知伸縮構(gòu)件(1)感知外界熱、磁、電、光信號(hào),且與所述位移傳導(dǎo)件(2)的連接的一端產(chǎn)生相對位移,所述位移傳導(dǎo)件(2)將所述智能感知伸縮構(gòu)件(1)產(chǎn)生的微小位移傳導(dǎo)至所述壓電元件(3),所述壓電元件(3)受到外力的作用產(chǎn)生正壓電效應(yīng),所述閉合電回路中產(chǎn)生電流;所述智能感知伸縮構(gòu)件(1)由電致型SMP、熱致型SMP、磁致型SMP、光致型SMP其中一種或多種材料經(jīng)4D打印技術(shù)制備而成。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述4D打印技術(shù)為熔融沉積技術(shù)、立體光固化技術(shù)、直寫成型技術(shù)和立體噴墨印刷技術(shù)中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述電致驅(qū)動(dòng)執(zhí)行元件(4)由電致形狀記憶聚合物或\和電致形狀記憶合金4D打印制備而成。
4.如權(quán)利要求1所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述壓電元件(3)為高分子壓電材料或陶瓷壓電材料通過增材制造技術(shù)成型。
5.如權(quán)利要求4所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述高分子壓電材料包括聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯或改性聚氯乙烯;所述陶瓷壓電材料包括鈦鉛酸或鈦酸鋇。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述位移傳導(dǎo)件(2)包括傳導(dǎo)桿(21),所述傳導(dǎo)桿(21)的一端與所述智能感知伸縮構(gòu)件(1)連接固定,所述傳導(dǎo)桿(21)的另一端與所述壓電元件(3)連接固定。
7.如權(quán)利要求6所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述位移傳導(dǎo)件(2)還包括限位件(22),所述限位件(22)套設(shè)在所述傳導(dǎo)桿(21)外,所述限位件(22)固定設(shè)置在所述傳導(dǎo)桿(21)運(yùn)動(dòng)軌跡某一位置,限制所述傳導(dǎo)桿(21)沿預(yù)設(shè)運(yùn)動(dòng)軌跡移動(dòng)。
8.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的一種基于4D打印技術(shù)的傳感執(zhí)行一體化裝置,其特征在于:所述裝置還包括電流表(6),所述電流表(6)串聯(lián)在所述壓電元件(3)和電致驅(qū)動(dòng)執(zhí)行元件(4)通過導(dǎo)線(5)構(gòu)成的閉合電回路中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國地質(zhì)大學(xué)(武漢);北京電子工程總體研究所,未經(jīng)中國地質(zhì)大學(xué)(武漢);北京電子工程總體研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110046125.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02N 其他類目不包含的電機(jī)
H02N2-00 利用壓電效應(yīng)、電致伸縮或磁致伸縮的電動(dòng)機(jī)或發(fā)電機(jī)
H02N2-02 .產(chǎn)生直線運(yùn)動(dòng)的,例如致動(dòng)器;直線定位器
H02N2-10 .產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的,例如旋轉(zhuǎn)電動(dòng)機(jī)
H02N2-18 .從機(jī)械輸入產(chǎn)生電輸出的,例如發(fā)電機(jī)
H02N2-12 ..結(jié)構(gòu)零部件
H02N2-14 ..驅(qū)動(dòng)電路;控制裝置
- 防止技術(shù)開啟的鎖具新技術(shù)
- 技術(shù)評(píng)價(jià)裝置、技術(shù)評(píng)價(jià)程序、技術(shù)評(píng)價(jià)方法
- 防止技術(shù)開啟的鎖具新技術(shù)
- 視聽模擬技術(shù)(VAS技術(shù))
- 用于技術(shù)縮放的MRAM集成技術(shù)
- 用于監(jiān)測技術(shù)設(shè)備的方法和用戶接口、以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于監(jiān)測技術(shù)設(shè)備的技術(shù)
- 技術(shù)偵查方法及技術(shù)偵查系統(tǒng)
- 使用投影技術(shù)增強(qiáng)睡眠技術(shù)
- 基于技術(shù)庫的技術(shù)推薦方法





