[發(fā)明專利]一種異質結太陽能電池及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110045748.3 | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN113990963A | 公開(公告)日: | 2022-01-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權)人: | 宣城睿暉宣晟企業(yè)管理中心合伙企業(yè)(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 王藝涵 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 異質結 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種異質結太陽能電池,包括:N型襯底(1);所述N型襯底(1)的正面依次向上設置有第一鈍化層、P型非晶硅層、第一透明導電層(8)和第一電極(9);所述N型襯底(1)的背面依次向下設置有第二鈍化層、N型非晶硅層、第二透明導電層(11)以及第二電極(10);其特征在于,所述第一透明導電層(8)的內部設置有等離子體。
2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其特征在于,
所述第一透明導電層(8)包括第一厚度的第一透明導電層(8)與第二厚度的第一透明導電層(8);
所述第一厚度的第一透明導電層(8)貼合所述P型非晶硅層設置,所述第一厚度的第一透明導電層(8)的內部設置有等離子體;
所述第一電極(9)設置在所述第二厚度的第一透明導電層(8)背對所述P型非晶硅層的一面。
3.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其特征在于,
所述第一透明導電層(8)的厚度范圍為60-120nm。
4.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池,其特征在于,
所述第一厚度的第一透明導電層(8)的厚度范圍為10-120nm;
所述第二厚度的第一透明導電層(8)的厚度范圍為10-110nm。
5.根據權利要求2-4任一項所述的異質結太陽能電池,其特征在于,
所述第一厚度的第一透明導電層(8)由摻錫氧化銦、氧化銦鈦、摻鎢氧化銦中的一種或多種制成;
所述第二厚度的第一透明導電層(8)由摻錫氧化銦、氧化銦鈦、摻鎢氧化銦中的一種或多種制成。
6.一種異質結太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在N型襯底(1)的背面上依次形成第二鈍化層和N型非晶硅層,在N型襯底(1)的正面上依次形成第一鈍化層和P型非晶硅層;
在N型非晶硅層上形成第二透明導電層(11);
在P型非晶硅層上形成第一厚度的第一透明導電層(8),向第一厚度的第一透明導電層(8)內注入等離子體,繼續(xù)在第一厚度的第一透明導電層(8)上形成第二厚度的第一透明導電層(8);
在第二透明導電層(11)上形成第二電極(10),在第二厚度的第一透明導電層(8)上形成第一電極(9)。
7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池的制備方法,其特征在于,
所述向第一厚度的第一透明導電層(8)內注入等離子體時,采用等離子體浸沒離子注入方法向第一厚度的第一透明導電層(8)內注入等離子體。
8.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池的制備方法,其特征在于,
所述采用等離子體浸沒離子注入方法向第一厚度的第一透明導電層(8)內注入等離子體,具體包括以下步驟;
將沉積完第一厚度的第一透明導電層(8)的襯底置于真空腔室內;
調整透明導電氧化物注入裝置的工藝參數進入預先設置的數值范圍內;
透明導電氧化物注入裝置產生等離子體,等離子體浸沒離子注入處理第一厚度的第一透明導電層(8)。
9.根據權利要求8所述的異質結太陽能電池的制備方法,其特征在于,
所述透明導電氧化物注入裝置產生等離子體時的工藝參數為:
以10-1000sccm的流量速度向注入腔室內注入純氧,使注入腔室內的壓強達到10-6Pa-10-3Pa的本底壓強范圍;
繼續(xù)以10-1000sccm的流量速度向注入腔室內注入純氧,調整注入腔室內氣體的抽氣速度,使注入腔室內的壓強達到10-2Pa-10Pa的工作壓強范圍;
開啟透明導電氧化物注入裝置,透明導電氧化物注入裝置的電源輸出功率為1-10000W,透明導電氧化物注入裝置的工藝時間為1-60min。
10.根據權利要求6-9任一項所述的異質結太陽能電池的制備方法,其特征在于,
所述在N型襯底(1)的背面上依次沉積第二鈍化層和N型非晶硅層之前,還包括:
對N型襯底(1)的雙面進行拋光及制絨處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





