[發明專利]一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法在審
| 申請號： | 202110043756.4 | 申請日： | 2021-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN112760719A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 毛開禮;魏汝省;趙麗霞;戴鑫;李天;喬亮;范云;李斌;靳霄曦 | 申請（專利權）人： | 山西爍科晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/04 | 分類號： | C30B33/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷錦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 碳化硅 單晶晶圓 制備 方法 | ||
1.一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，采用高能粒子輻照碳化硅晶片，
在碳化硅晶片引入點缺陷，以補償碳化硅晶片淺能級缺陷；所述碳化硅晶片中的Al雜質濃度＜1E15cm-3，B、N兩種淺雜質濃度分別＜5E16cm-3，采用高能粒子輻照劑量為0.3-25MeV；輻照時間為0.1-6h。
2.根據權利要求1所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述碳化硅晶片中的Al雜質濃度＜2E14cm-3，所述B、N兩種淺雜質濃度分別＜1E16cm-3，采用高能粒子輻照劑量為0.3-10MeV。
3.根據權利要求1所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述高能粒子為電子或中子或γ射線。
4.根據權利要求1所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，輻照方式為碳化硅晶片相對輻照裝置固定或移動。
5.根據權利要求4所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述移動是碳化硅晶片自轉同時高能粒子束貫穿碳化硅晶片做直線運動或高能粒子束在碳化硅晶片表面做Z形軌跡移動。
6.根據權利要求5所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述直線運動或Z形軌跡移動的速度為0.2-5mm/h。
7.根據權利要求1所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述碳化硅晶片采用物理氣相傳輸法生長得到，生長溫度為2000-2300℃，生長壓力為0.1-500Pa。
8.根據權利要求7所述的一種半絕緣碳化硅單晶晶圓的制備方法，其特征在于，所述碳化硅晶體的晶型為3C、4H、6H、15R中的一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山西爍科晶體有限公司，未經山西爍科晶體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110043756.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
