[發(fā)明專利]壓電復(fù)合材料薄膜及其制造方法及壓電式揚聲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110043509.4
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112852077B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳語蘋;周書綺
• 申請（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;業(yè)成光電（無錫）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: C08L27/16
• 分類號: C08L27/16;C08K9/04;C08K3/04;C08J5/18;H04R17/00;H04R31/00
• 代理公司: 成都希盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

1.一種壓電復(fù)合材料薄膜，其特征在于，包括：

聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)，其中所述聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)的偏二氟乙烯具β相；以及

官能基化納米碳管，其中所述官能基化納米碳管包括羧基、羥基、氨基或其組合，所述官能基化納米碳管為所述聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)重量的0.005wt％至1wt％。

2.如權(quán)利要求1所述之壓電復(fù)合材料薄膜，其中所述聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)的偏二氟乙烯單元與三氟乙烯單元的摩爾比例介于50mol％/50mol％與85mol％/15mol％之間。

3.一種制造壓電復(fù)合材料薄膜的方法，其特征在于，包括：

將聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)溶于溶劑中，以形成溶液；

添加官能基化納米碳管至所述溶液中，以形成復(fù)合材料溶液，其中所述官能基化納米碳管包括羧基、羥基、氨基或其組合，所述官能基化納米碳管為聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)重量的0.005wt％至1wt％；

涂布所述復(fù)合材料溶液，以形成薄膜；以及

對所述薄膜進(jìn)行退火制程與一極化制程，以形成所述壓電復(fù)合材料薄膜。

4.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)的偏二氟乙烯單元與三氟乙烯單元的摩爾比例介于50mol％/50mol％與85mol％/15mol％之間。

5.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述溶劑為酮類溶劑、酯類溶劑、酰胺類溶劑或其組合。

6.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述聚(偏二氟乙烯–三氟乙烯)與所述溶液的重量百分比介于5wt％與30wt％之間。

7.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述退火制程的溫度介于125℃與145℃之間。

8.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述退火制程的時間介于0.5小時與8小時之間。

9.如權(quán)利要求3所述之方法，更包括：

在對所述薄膜進(jìn)行所述退火制程及所述極化制程之前，干燥所述薄膜。

10.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述方法不包括對所述壓電復(fù)合材料薄膜進(jìn)行拉伸制程。

11.如權(quán)利要求3所述之方法，其中所述極化制程中施予所述薄膜的累積電壓為75-250MV/m。

12.一種壓電式揚聲器，其特征在于，包括：

發(fā)聲濾片；

權(quán)利要求1所述的所述壓電復(fù)合材料薄膜，設(shè)置于所述發(fā)聲濾片下方；

第一導(dǎo)電層，覆蓋所述壓電復(fù)合材料薄膜及所述發(fā)聲濾片，并且連接所述發(fā)聲濾片的一下表面；

接著層，設(shè)置于所述發(fā)聲濾片上方；以及

第二導(dǎo)電層，設(shè)置于所述接著層上方，所述第二導(dǎo)電層透過所述接著層連接所述發(fā)聲濾片的一上表面。