[發明專利]一種化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法

在審

• 申請號: 202110043042.3
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112893195A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 邵國鍵;林罡;陳韜;陳正廉;俞勇;沈杰;陳堂勝
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: B07C5/344
• 分類號: B07C5/344
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 施昊

1.一種化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）測試化合物半導體器件的初始轉移特性；

（2）逐次提高漏極電壓，多次測試轉移特性；

（3）繪制不同漏極電壓條件下的轉移特性曲線，并標注對應的閾值電壓；

（4）判斷閾值電壓是否隨漏極電壓的升高而發生變化，若發生變化，則判定化合物半導體器件柵結構存在缺陷，若未發生變化，則判定化合物半導體器件柵結構完整。

2.根據權利要求1所述化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，在步驟（1）中，設漏極電壓Vd0在1~100V之間，柵極電壓由(Vp-10)V以設定步進掃描至(Vp+10)V，其中Vp表示閾值電壓。

3.根據權利要求2所述化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，在步驟（1）中，柵極電壓設定的步進取值范圍為(0.001*|Vp|~0.1*|Vp|)V。

4.根據權利要求2所述化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，在步驟（2）中，設漏極電壓依次為Vd1、Vd2、Vd3、……Vdn，所有漏極電壓均在1~100V之間，且Vd0Vd1Vd2Vd3……Vdn。

5.根據權利要求1所述化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，在步驟（1）和步驟（2）中，在測試轉移特性時，將化合物半導體器件的源極接零電位。

6.根據權利要求1所述化合物半導體器件柵結構缺陷的直流篩選方法，其特征在于，所述化合物半導體器件包括碳化硅、氧化鎵、氮化鎵、氧化鉿、砷化鎵和磷化銦中任一種，根據化合物半導體器件的類型選擇匹配的漏極電壓。