[發明專利]半導體器件及方法

在審

• 申請號: 202110042908.9
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN113314466A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 廖思羽;蘇祖輝;范純祥;王育文;葉明熙;黃國彬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底之上形成半導體鰭，所述半導體鰭包括鍺，其中，所述半導體鰭的第一部分的鍺濃度大于所述半導體鰭的第二部分的鍺濃度，所述第一部分與所述半導體襯底的主表面之間的第一距離小于所述第二部分與所述半導體襯底的所述主表面之間的第二距離；以及

修整所述半導體鰭，其中，所述半導體鰭的所述第一部分以比所述半導體鰭的所述第二部分更大的速率被修整。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在修整所述半導體鰭之前的所述半導體鰭的側壁與所述半導體襯底的所述主表面之間的第一角度與在修整所述半導體鰭之后的所述半導體鰭的所述側壁與所述半導體襯底的所述主表面之間的第二角度不同。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體鰭的所述第一部分的修整速率與所述半導體鰭的所述第二部分的修整速率的比率為1至3。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，修整所述半導體鰭包括：將所述半導體鰭暴露于氧化劑。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，修整所述半導體鰭包括：在循環工藝中，將所述半導體鰭暴露于氧化劑，然后將所述半導體鰭暴露于堿或酸。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成圍繞所述半導體鰭的至少一部分的淺溝槽隔離區域，其中，所述半導體鰭在形成所述淺溝槽隔離區之后被修整。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成圍繞所述半導體鰭的至少一部分的淺溝槽隔離區域，其中，所述半導體鰭在形成所述淺溝槽隔離區域之前被修整。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體鰭之上形成虛設柵極；以及

去除所述虛設柵極以暴露所述半導體鰭，其中，所述半導體鰭在去除所述虛設柵極之后被修整。

9.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一半導體鰭，在所述半導體襯底之上，所述第一半導體鰭包括硅鍺，所述第一半導體鰭的鍺濃度隨著與所述半導體襯底的距離增加而降低；

第二半導體鰭，在所述半導體襯底之上，所述第二半導體鰭包括硅，其中，所述第一半導體鰭的側壁與所述半導體襯底的主表面之間的第一角度與所述第二半導體鰭的側壁與所述半導體襯底的所述主表面之間的第二角度相比更接近垂直；

柵極堆疊，在所述第一半導體鰭之上；以及

源極/漏極區域，至少部分地在與所述柵極堆疊相鄰的所述第一半導體鰭中。

10.一種半導體器件，包括：

第一溝道區域，在半導體襯底之上，所述第一溝道區域包括硅鍺，所述第一溝道區域具有第一寬度；

第二溝道區域，在所述第一溝道區域之上，所述第二溝道區域包括硅鍺，所述第二溝道區域具有比所述第一溝道區域更低的鍺濃度，所述第二溝道區域具有第二寬度；

第三溝道區域，在所述半導體襯底之上，所述第三溝道區域包括硅，所述第三溝道區域具有第三寬度；

第四溝道區域，在所述第三溝道區域之上，所述第四溝道區域包括硅，所述第四溝道區域具有第四寬度，其中，所述第一寬度和所述第二寬度之間的差小于所述第三寬度和所述第四寬度之間的差；以及

柵極堆疊，圍繞所述第一溝道區域和所述第二溝道區域。