[發明專利]晶圓處理設備與制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 202110042230.4
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN114763602B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 吳宗晟;吳昇穎;林明賢;侯國隆;張見誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種晶圓處理設備與制造半導體裝置的方法，制造半導體裝置的方法包含在處理設備中形成電漿以處理晶圓。停止形成電漿。在停止形成電漿后，降低承載晶圓的支撐盤至閑置高度，使處理設備的覆蓋環的開口與處理設備的遮蔽罩的對準件嵌合。覆蓋環的開口具有由上往下漸寬的寬度。

技術領域

本揭露內容是關于一種晶圓處理設備與制造半導體裝置的方法，特別是關于物理氣相沉積的晶圓處理設備與制造半導體裝置的方法。

背景技術

在半導體的制造過程中，半導體元件通常通過以下方式所生產：依次在半導體基材之上沉積絕緣或介電層、導電層及半導體材料層，并使用微影制程圖案化各種材料層以在其上形成電路組件及元件。常見的沉積制程有物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積等。

通過沉積制程制造薄膜時，薄膜的均勻度是制程的特性之一。因此，如何改善薄膜的均勻度也是值得關注的課題之一。

發明內容

一種制造半導體裝置的方法，包含在處理設備中形成電漿以處理晶圓。停止形成電漿。在停止形成電漿后，降低承載晶圓的支撐件至閑置高度，使處理設備的覆蓋環的開口與處理設備的遮蔽罩的對準件嵌合。覆蓋環的開口具有由上往下漸寬的寬度。

一種制造半導體裝置的方法，包含放置晶圓于處理設備的支撐件上。移動支撐件，使得支撐件接觸處理設備的覆蓋環。處理設備還包含遮蔽罩。覆蓋環的開口與處理設備的遮蔽罩的對準件嵌合，使得覆蓋環的開口的頂面接觸遮蔽罩的對準件，且覆蓋環的開口的頂面的寬度與遮蔽罩的對準件的厚度的差距小于0.2毫米。提升支撐件與覆蓋環至處理高度，以分離覆蓋環與遮蔽罩。在處理設備的處理室中形成電漿以處理晶圓。

一種晶圓處理設備包含：處理室、支撐件、遮蔽罩與覆蓋環。支撐件位于處理室中，用以承載晶圓。遮蔽罩安裝于處理室并環繞支撐件。遮蔽罩包含對準件。覆蓋環自遮蔽罩延伸至支撐件，覆蓋環具有能夠嵌合至遮蔽罩的對準件的開口，且開口由下往上漸窄。

附圖說明

在隨附圖式一起研讀時，根據以下詳細描述內容可最佳地理解本揭露的態樣。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特征未按比例繪制。實際上，各種特征的尺寸可為了論述清楚經任意地增大或減小。

圖1繪示在一些實施方式中晶圓處理設備的示意圖；

圖2A繪示在一些實施方式中圖1的局部放大示意圖；

圖2B至圖2G繪示在另一些實施方式中圖1的局部放大示意圖；

圖3繪示根據本揭露的一些實施方式的晶圓處理設備的使用方法的流程圖；

圖4A至圖4D繪示根據本揭露的一些實施方式的晶圓處理設備的細部結構的橫截面視圖的示意圖；

圖5繪示根據本揭露的一些實施方式的晶圓處理設備的使用方法的流程圖；

圖6繪示在一些實施方式中支撐盤的上視圖。

【符號說明】

D1:距離

D2:距離

d1:夾角

d2:夾角

d3:深度

G:間隙

M:區域

T:靶材

T1:厚度

T2:厚度

W:晶圓

W1:寬度

W2:寬度

100:晶圓處理設備