[發(fā)明專利]一種光電陰極及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110040605.3
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112908807A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡志鵬;張景文
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西理工大學(xué);西安交通大學(xué)
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J9/12
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 劉瀟

1.一種光電陰極，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的光電發(fā)射材料層、內(nèi)表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜；

所述內(nèi)表面增透膜包括層疊設(shè)置的高折射率材料層和低折射率材料層；

所述內(nèi)表面增透膜的層數(shù)≥2；

所述高折射率材料層的折射率與所述低折射率材料層的折射率之間的差值≥0.2；

所述光電發(fā)射材料層的光電發(fā)射材料包括Sb元素和/或Te元素。

2.如權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述內(nèi)表面增透膜的厚度為10nm～10μm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的光電陰極，其特征在于，當(dāng)內(nèi)表面增透膜的層數(shù)為2，且所述光入射窗與低折射率材料層接觸時，與所述光入射窗接觸的低折射率材料層的折射率和所述光入射窗的折射率的差值≥0.2。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的光電陰極，其特征在于，所述低折射率材料層中的低折射率材料包括SiO₂、AlF₃、CeF₃、MgF₂、LiF、CaF₂、LaF₃、BaF₂、NaF、NdF₃、YbF₃、SmF₃、ThF₄和SrF₂中的一種或幾種。

5.如權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述高折射率材料層中的高折射率材料為Al₂O₃、Si₃N₄、HfO₂、金剛石、MgO、ZrO₂、AlN、TiN、BiF₃、CdS、Ho₂O₃、In₂O₃、Nb₂O₅、Y₂O₃、Nd₂O₃、PbCl₂、PbF₂、Sb₂O₃、Pr₆O₁₁、Gd₂O₃、Cr₂O₃、Dy₂O₃、MnO_x、CsBr、CsI、La₂O₃、BeO、TiO₂、SnO₂、Bi₂O₃、CeO₂、ZnS、ZnO、Sm₂O₃和Eu₂O₃中的一種或幾種；

所述MnO_x中的x的取值范圍為：1≤x≤2。

6.如權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述光電發(fā)射材料層的厚度為10～2000nm。

7.如權(quán)利要求1或6所述的光電陰極，其特征在于，當(dāng)所述光電發(fā)射材料層中的光電發(fā)射材料包括Sb元素時，所述光電發(fā)射材料還包括K元素、Na元素、Li元素、Cs元素、Rb元素和Te元素中的一種或幾種；

當(dāng)所述光電發(fā)射材料層中的光電發(fā)射材料包括Te元素時，所述光電發(fā)射材料還包括K元素、Na元素、Cs元素、Rb元素和Sb元素中的一種或幾種。

8.如權(quán)利要求7所述的光電陰極，其特征在于，所述光電發(fā)射材料包括NaKSbCs、NaKSb、NaLiSb、NaKSbRbCs、KCsSb、RbCsSb、NaSbCs、CsSb、LiCsSb、CsTe、RbTe、KTe、CsTeSb、RbTeCs、KCsTe和KRbTe中的一種或幾種。