[發明專利]氣泡去除方法有效
| 申請號: | 202110040352.X | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN112877741B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 史蒂文·賀·汪;周志偉 | 申請(專利權)人: | 硅密芯鍍(海寧)半導體技術有限公司;新陽硅密(上海)半導體技術有限公司 |
| 主分類號: | C25D7/12 | 分類號: | C25D7/12;C25D21/10;C25D17/00 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 王衛彬;何橋云 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉興市海寧市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣泡 去除 方法 | ||
1.一種氣泡去除方法,其用于在電鍍晶圓時消除晶圓表面的氣泡,其特征在于,所述氣泡去除方法包括:
S10、控制晶圓隨晶圓夾具以相對電鍍液面傾斜的姿態浸入電鍍池中,并使所述晶圓夾具的死區位于所述電鍍池的溢流區域中,其中,所述電鍍池的溢流區域的液面高于所述電鍍液面;
S20、控制所述晶圓夾具沿平行或接近所述電鍍液面的方向移動,使所述晶圓夾具的死區離開所述電鍍池的溢流區域時,所述晶圓夾具的內側周緣浸于所述電鍍液面下,所述死區為所述晶圓夾具浸入電鍍液時,殘余的氣體停留在所述晶圓夾具的內側周緣與晶圓之間的轉角區域。
2.如權利要求1所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S10和步驟S20之間包括步驟S11:控制所述晶圓夾具以所述晶圓夾具的中軸線為中心旋轉。
3.如權利要求2所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S11中,所述晶圓夾具的旋轉圈數大于兩圈。
4.如權利要求2所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S11中,所述晶圓夾具的旋轉速度范圍在40轉/分鐘-200轉/分鐘之間。
5.如權利要求1所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S10中包括:
將所述晶圓夾具的姿態調整至相對所述電鍍液面傾斜;
控制所述晶圓夾具沿向下方向浸入所述電鍍池中,在所述晶圓夾具的死區接近所述電鍍液面時停止浸入;
控制所述晶圓夾具沿平行所述電鍍液面的方向移動,使所述晶圓夾具的死區移動至所述電鍍池的溢流區域中。
6.如權利要求5所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S10中,所述控制所述晶圓夾具沿向下方向浸入所述電鍍池中,在所述晶圓夾具的死區接近所述電鍍液面時停止浸入的步驟和所述控制所述晶圓夾具沿平行所述電鍍液面的方向移動,使所述晶圓夾具的死區移動至所述電鍍池的溢流區域中的步驟同時執行。
7.如權利要求1所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S10中,所述晶圓夾具浸入所述電鍍池時相對所述電鍍液面的夾角范圍在0°~5°之間,且不包括0°。
8.如權利要求1所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S20中,控制所述晶圓夾具沿接近所述電鍍液面的方向朝所述電鍍池的中心位置處移動,使所述晶圓夾具的死區離開所述電鍍池的溢流區域。
9.如權利要求1所述的氣泡去除方法,其特征在于,在步驟S20之后還包括步驟S30:控制所述晶圓夾具沿向下方向完全浸入所述電鍍液面中。
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