[發明專利]半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置在審
| 申請號: | 202110040334.1 | 申請日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN113113327A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 方珉喆 | 申請(專利權)人: | 方珉喆 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 蔣洪之;崔龍鉉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 化學 藥液 溫度 控制 裝置 | ||
1.一種半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其安裝在化學藥液循環供應管而用于控制化學藥液的溫度,其特征在于,包括:
第1散熱設備部,其在內部形成有冷卻水流路;
多個熱電模塊,其分別與所述第1散熱設備部的兩側面接觸地設置;及
第2散熱設備部,其包括:第1及第2散熱設備模塊,其中間隔著所述第1散熱設備部分別與所述多個熱電模塊接觸地分別設置在所述第1散熱設備部的一側及另一側;一個化學藥液流入管及化學藥液排出管,其分別與所述第1及第2散熱設備模塊連接,并分別流入及排出化學藥液;多個化學藥液流路管,其為了沿著內部流動所述化學藥液,分別向所述第1及第2散熱設備模塊內側插入,相互之間可連通,并分別與所述一個化學藥液流入管及化學藥液排出管連通,
并且,所述多個化學藥液流路管分別包括:
多個第1列化學藥液流路管,其在與所述第1散熱設備部鄰接的位置以多個列配置;及
多個第n列化學藥液流路管,其配置在與所述多個第1列化學藥液流路管相比相對地從所述第1散熱設備部分隔的位置,并且,從第1散熱設備部的分隔距離相互不同,其中n為2、3、4。
2.根據權利要求1所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述第2散熱設備部包括:
第1及第2分流管模塊,其形成有內部流動空間,分別設置在所述第1及第2散熱設備模塊的一側,用于容納通過多個化學藥液流路管流入或排出的化學藥液,并且,分別與所述一個化學藥液流入管及化學藥液排出管連通;及
第3分流管模塊,其形成有內部流動空間,在所述第1及第2散熱設備模塊的另一側形成,使得形成于所述第1及第2散熱設備模塊的多個化學藥液流路管相互連通。
3.根據權利要求1所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述第1及第2散熱設備模塊分別包括:
第1至第n+1散熱設備模塊片,其形成有與所述多個第1列至第n列化學藥液流路管的截面對應的插入槽并相互之間可分離地結合,鄰接的相互之間結合而能夠固定第1列至n列化學藥液流路管。
4.根據權利要求1所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述第2散熱設備部還包括:
亂流發生模塊,其向所述多個化學藥液流路管的端部內側插入,而使得化學藥液流路管內部的化學藥液流動發生亂流。
5.根據權利要求4所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述化學藥液流路管由直管形態形成,
所述亂流發生模塊包括:
亂流發生模塊主體;及
多個亂流引導流路,其設置在所述亂流發生模塊主體,對于所述化學藥液流路管的縱向中心軸傾斜形成,引導化學藥液向化學藥液流路管內面流動而借助于與所述內面的沖突發生亂流。
6.根據權利要求4所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述化學藥液流路管由直管形態形成,
所述亂流發生模塊包括:
亂流發生模塊主體;及
多個亂流引導流路,其設置在所述亂流發生模塊主體,并且,越向所述化學藥液流路管內側越逐漸地增加流路截面積,從而,引導化學藥液向化學藥液流路管內面流動,而借助于與內面的沖突發生亂流。
7.根據權利要求4所述的半導體制造用化學藥液的溫度控制裝置,其特征在于,
所述化學藥液流路管由直管形態形成,
所述亂流發生模塊包括:
亂流發生模塊主體;及
多個亂流引導流路,其由長度方向貫通所述亂流發生模塊主體而形成多個,使得化學藥液向所述化學藥液流路管的內面流動,而引導與所述內面的沖突引發的亂流,并且,在其內周面形成有螺旋形導葉,以使化學藥液通過亂流發生模塊主體的期間發生螺旋形渦流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





