[發明專利]用于激光誘導超臨界液體燒蝕加工的保護液膜組合物及激光切割工藝

有效

• 申請號: 202110040309.3
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112831261B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 陳宇
• 申請（專利權）人: 科納瑞雅（昆山）新材料科技有限公司
• 主分類號: C09D171/02
• 分類號: C09D171/02;C09D139/06;C09D7/63;H01L21/78
• 代理公司: 蘇州周智專利代理事務所(特殊普通合伙) 32312
• 代理人: 陳寧

1.一種用于激光誘導超臨界液體燒蝕加工的保護液膜組合物，其特征在于，主要包括下述按該保護液膜組合物總質量計的下述各組分：能夠激光誘導生成超臨界液體的基體混合物5-30wt.%、冷卻劑5-50wt.%、潤濕劑0.01-2.0wt.%、消泡劑0.01-1.0wt.%和余量水；

其中，所述能夠激光誘導生成超臨界液體的基體混合物為聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇中的至少一種；或者為聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇中的至少一種和四氫呋喃的混合物；

所述冷卻劑為乙二醇和丙三醇中的至少一種；

所述聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量為8000-15000，所述聚乙二醇為PEG11000，或者為PEG400和PEG11000。

2.根據權利要求1所述的用于激光誘導超臨界液體燒蝕加工的保護液膜組合物，其特征在于：所述潤濕劑為陽離子型表面活性劑、陰離子型表面活性劑、非離子型水溶性表面活性劑和兩性型表面活性劑中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的用于激光誘導超臨界液體燒蝕加工的保護液膜組合物，其特征在于：所述潤濕劑為聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸鈉、聚乙二醇單甲醚、聚醚改性烷基硅氧烷、聚醚改性聚烷基硅氧烷、聚醚改性羥基官能團的聚二甲基硅氧烷、聚醚-聚酯改性羥基聚烷基硅氧烷和脂肪醇聚氧乙烯醚中的至少一種。

4.一種半導體激光切割工藝，其特征在于，主要在于包括下述步驟：

S1，在待切割半導體元件上涂覆權利要求1至權利要求3任一項所述保護液膜組合物，在半導體元件表面形成保護液膜；

S2，使用激光透過保護液膜對該半導體元件進行激光燒蝕切割并誘導產生超臨界液體，從而在半導體元件上形成切割道；

S3，將完成切割的半導體元件使用純水沖洗干凈后進行干燥。

5.根據權利要求4所述的半導體激光切割工藝，其特征在于：步驟S2中所使用激光的能量不小于5μJ，且該激光的重復頻率為100-400kHz，波長為355nm-1064nm，該激光的切割速度50-400mm/s。