[發明專利]一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法在審
| 申請號： | 202110039893.0 | 申請日： | 2021-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN112635333A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 張浩;張禹;陳雄;武永華;顏峰坡 | 申請（專利權）人： | 福建江夏學院 |
| 主分類號： | H01L21/34 | 分類號： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 znsno 薄膜晶體管 制備 方法 | ||
1.一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將二水合氯化錫SnCl2·2H2O和醋酸鋅二水合物Zn（CH3COO）2·2H2O加入 2-甲氧基乙醇中，構成ZTO前驅體溶液，再加入單乙醇胺MEA作為穩定劑；將制備的溶液進行水浴加熱，然后在室溫下放置；
（2）利用原子層沉積ALD在清潔的p型硅晶片上制備 HfO2介質層；
（3）將步驟（1）獲得的ZTO前驅體溶液旋涂在HfO2薄膜上，接下來將涂覆的薄膜放置在盛有氨水容器上方，具有揮發性NH3擴散到有源層薄膜表面；然后用熱板對薄膜加熱；
（4）通過真空熱蒸發制備約200納米鋁薄膜，并通過掩模版制備出源極和漏極。
2.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（1）中Sn和Zn的摩爾比在3：7。
3.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（1）中水浴加熱具體為60°C攪拌下2小時；所述室溫下放置12小時。
4.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（2）HfO2介質層制備條件為：在250°C下使用四(二甲胺基)鉿TDMAH和H2O作為前驅體。
5.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（2）HfO2介質層厚度為30 nm。
6.根據權利要求5所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述HfO2介質層制備具體為：以500 rpm的速度旋轉5 s，然后以3000 rpm的速度旋轉30s以獲得30納米厚的薄膜。
7.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（2）原子層沉積條件為：腔室壓力控制在小于10mbar。
8.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（3）將涂覆的薄膜放置在盛有氨水容器上方的時間為2-6分鐘。
9.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（3）用熱板在300°C下對薄膜加熱10分鐘。
10.根據權利要求1所述的一種ZnSnO薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟（3）熱板對薄膜加熱結束后，所有器件在500°C退火爐中放置2小時。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
