[發明專利]一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法

在審

• 申請號: 202110039466.2
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112666239A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 朱陽陽;王麗娟;董金鵬;蘇和平;王璐;劉暢
• 申請（專利權）人: 長春工業大學
• 主分類號: G01N27/414
• 分類號: G01N27/414
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法包括：采用溶液浸涂法，將ITO玻璃基底（3）浸沒于聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的混合溶液（1）中，通過調控聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的組成、混合溶液（1）的濃度、浸涂時間、取出方式，以及調控退火溫度、時間和環境，優化共混聚合物介電層（4）的形貌，接著真空蒸鍍四噻吩誘導層（6）和酞菁鋅敏感層（7），最后蒸鍍金電極（8）得到基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器。

2.根據權利要求1所述的一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法，其特征在于，混合溶液（1）由聚苯乙烯、聚偏氟乙烯和甲苯組成，聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的質量比在1∶0.5到1∶5之間，混合溶液（1）濃度為5-50 mg/ml。

3.根據權利要求1所述的一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法，其特征在于，采用溶液浸涂的方法，在ITO玻璃基底（3）上均勻涂覆聚合物混合溶液（1），浸涂時間為1-10分鐘，取出方式有水平取出，垂直取出和傾斜取出。

4.根據權利要求1所述的一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法，其特征在于，采用退火的方法，固化烘干形成共混聚合物介電層（4），退火溫度在50-100 ℃，退火時間為5-30分鐘，退火環境有真空退火，甲苯蒸汽退火，以及大氣環境退火。

5.根據權利要求1所述的一種基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器制備方法，其特征在于，采用真空蒸鍍法，在共混聚合物介電層（4）上沉積四噻吩誘導層（6）和酞菁鋅敏感層（7），真空度為5.0×10^-4 Pa，四噻吩誘導層（6）的厚度在2-5 nm，襯底溫度為185℃，酞菁鋅敏感層（7）的厚度在10-50 nm，襯底溫度為185 ℃，最后蒸鍍金電極（8）得到基于共混聚合物介電層的OFET氣體傳感器。