[發(fā)明專利]天線單元和天線單元制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110039371.0
• 申請日: 2021-01-13
• 公開（公告）號: CN112366447B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 郭凡玉;陳智慧;王新輝;許峰凱;羅烜
• 申請（專利權）人: 成都天銳星通科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 徐麗

本申請?zhí)峁┮环N天線單元和天線單元制作方法，涉及天線制作技術領域，天線單元包括天線層、芯片控制層、電磁帶隙結構和饋電帶線；所述天線層位于所述芯片控制層的一側；所述電磁帶隙結構位于所述天線層靠近所述芯片控制層的一側；所述饋電帶線位于所述天線層的內部，通過上述方案的設置，能夠得到一種性能穩(wěn)定的天線單元。

技術領域

本申請涉及天線制作技術領域，具體而言，涉及一種天線單元和天線單元制作方法。

背景技術

在天線制作過程中，一般是將多個介質層通過壓合工藝逐步形成天線層、芯片控制層等，在壓合好相應的功能介質層后，一般需要對其進行打孔，以便形成能夠使用的天線單元。而在現有技術中，形成天線單元的各個介質層并不具備任何實際功能，僅作為元器件的封裝設置，為了防止出現耦合等情況，需要對形成的孔進行多次加工，以通過為不同的孔設置不同的深度來解決耦合等問題，而多次制孔工藝會造成天線單元的損壞，進而影響天線單元的性能。

有鑒于此，如何提供一種性能穩(wěn)定的天線單元，使本領域技術人員需要解決的。

發(fā)明內容

本申請?zhí)峁┝艘环N天線單元和天線單元制作方法。

本申請的實施例可以這樣實現：

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N天線單元，包括天線層、芯片控制層、電磁帶隙結構和饋電帶線；

天線層位于芯片控制層的一側；

電磁帶隙結構位于天線層靠近芯片控制層的一側；

饋電帶線位于天線層的內部。

在可選的實施方式中，電磁帶隙結構包括電磁帶隙接地孔和電磁帶隙貼片，天線層包括第一天線介質層、第二天線介質層和第三天線介質層；

第一天線介質層、第二天線介質層和第三天線介質層依次遠離芯片控制層設置；

饋電帶線位于第二天線介質層和第三天線介質層之間；

電磁帶隙接地孔開設于第一天線介質層；

電磁帶隙貼片沿電磁帶隙接地孔的邊緣，設置在第一天線介質層靠近第二天線介質層的一側；

第三天線介質層遠離第一天線介質層的一側設置有金屬層。

在可選的實施方式中，天線層還包括第四天線介質層，第四天線介質層位于第三天線介質層遠離第一天線介質層的一側；

第四天線介質層開設有耦合隔離孔。

在可選的實施方式中，天線單元還包括類同軸結構，類同軸結構位于第一天線介質層和芯片控制層之間，類同軸結構用于實現天線單元的通信交互。

在可選的實施方式中，類同軸結構包括類同軸信號孔和類同軸外導體；

類同軸信號孔開設于芯片控制層、第一天線介質層和第二天線介質層；

類同軸外導體沿類同軸信號孔的開設方向貫穿芯片控制層。

在可選的實施方式中，饋電帶線包括第一饋電帶線和第二饋電帶線，天線單元還包括天線貼片、第一耦合縫隙和第二耦合縫隙；

第一耦合縫隙與第一饋電帶線、以及第二耦合縫隙與第二饋電帶線，用于實現雙圓極化饋電；

天線貼片位于天線層遠離芯片控制層的一側，天線貼片的貼片切角用于實現圓極化。

第二方面，本申請?zhí)峁┮环N天線單元制作方法，用于制作形成前述實施方式中任一項的天線單元，方法包括：

提供天線層；

將饋電帶線設置在天線層內部；

將電磁帶隙結構設置在天線層的一側；