[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110039159.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112366226B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許程;許晨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。在該顯示基板中,各子像素包括:導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu);緩沖層,位于導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè);半導(dǎo)體層,位于緩沖層遠(yuǎn)離導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的一側(cè);層間絕緣層,位于半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離緩沖層的一側(cè);以及導(dǎo)電層,位于層間絕緣層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層的一側(cè),且包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)包括第一主體部和第一凹陷部,第一凹陷部在垂直于襯底基板的方向上的平均厚度小于第一主體部在垂直于襯底基板的方向上的厚度,顯示基板還包括第一接觸孔,第一接觸孔穿過層間絕緣層和緩沖層,導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過第一接觸孔與第一凹陷部連接。由此,該顯示基板可提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的電連接效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開實(shí)施例涉及一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(AMOLED)因其廣色域、高對(duì)比度、輕薄設(shè)計(jì)、自發(fā)光、以及寬視角等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)成為當(dāng)前各大廠商的研究熱點(diǎn)和技術(shù)發(fā)展的方向。
目前,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(AMOLED)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用到各種電子產(chǎn)品中,小到智能手環(huán)、智能手表、智能手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品,大到筆記本電腦、臺(tái)式電腦、電視機(jī)等電子產(chǎn)品。因此,市場(chǎng)對(duì)于有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的需求也日益旺盛。
發(fā)明內(nèi)容
本公開實(shí)施例提供一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。該顯示基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)子像素,其中,各所述子像素包括:導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu),位于所述襯底基板上;緩沖層,位于所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);半導(dǎo)體層,位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的一側(cè);層間絕緣層,位于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè);以及導(dǎo)電層,位于所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的一側(cè),且包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)包括第一主體部和第一凹陷部,所述顯示基板還包括第一接觸孔,所述第一接觸孔穿過所述層間絕緣層和所述緩沖層,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第一接觸孔與所述第一凹陷部電連接,所述第一凹陷部靠近所述導(dǎo)電層的表面的面積大于所述第一凹陷部在所述襯底基板上正投影的面積,所述第一凹陷部在垂直于襯底基板的方向上的平均厚度小于所述第一主體部在垂直于襯底基板的方向上的平均厚度。由此,該顯示基板通過在導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)中設(shè)置第一凹陷部,使得第一漏極與導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的接觸面積增加,接觸更加充分,從可降低接觸電阻,提高第一漏極和導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的電連接效果。
本公開至少一個(gè)實(shí)施例提供一種顯示基板,其包括襯底基板和位于所述襯底基板上的多個(gè)子像素,其中,各所述子像素包括:導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu),位于所述襯底基板上;緩沖層,位于所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);半導(dǎo)體層,位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)的一側(cè);層間絕緣層,位于所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述緩沖層的一側(cè);以及導(dǎo)電層,位于所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的一側(cè),且包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)包括第一主體部和第一凹陷部,所述顯示基板還包括第一接觸孔,所述第一接觸孔穿過所述層間絕緣層和所述緩沖層,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第一接觸孔與所述第一凹陷部電連接,所述第一凹陷部靠近所述導(dǎo)電層的表面的面積大于所述第一凹陷部在所述襯底基板上正投影的面積,所述第一凹陷部在垂直于襯底基板的方向上的平均厚度小于所述第一主體部在垂直于襯底基板的方向上的平均厚度。
例如,在本公開一實(shí)施例提供的顯示基板中,所述緩沖層包括:第一緩沖部,所述第一緩沖部遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)與所述導(dǎo)電層接觸設(shè)置,且所述第一緩沖部靠近所述襯底基板的一側(cè)與所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置;以及第二緩沖部,所述第二緩沖部遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)與所述層間絕緣層接觸設(shè)置,且所述第二緩沖部靠近所述襯底基板的一側(cè)與所述導(dǎo)電遮光結(jié)構(gòu)接觸設(shè)置。
例如,在本公開一實(shí)施例提供的顯示基板中,所述第一接觸孔包括側(cè)壁,所述側(cè)壁至少包括:第一子側(cè)壁,位于所述層間絕緣層;以及第二子側(cè)壁,位于所述緩沖層,所述第一子側(cè)壁與所述襯底基板的夾角構(gòu)成第一坡度角,所述第二子側(cè)壁與所述襯底基板的夾角構(gòu)成第二坡度角,所述第一坡度角小于所述第二坡度角;所述第二子側(cè)壁與所述第一緩沖部的接觸部位于所述第一緩沖部和所述第二緩沖部之間。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





