[發明專利]一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件在審
| 申請號： | 202110038677.4 | 申請日： | 2021-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN112768528A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 施廣彥;秋琪;李昀佶 | 申請（專利權）人： | 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 橫向 mosfet 功率 器件 | ||
1.一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件，其特征在于：包括
一SiC襯底，所述SiC襯底上設有一襯底凹槽；
一SiC外延層，所述SiC外延層內設有一外延凹槽；所述SiC外延層設于所述襯底凹槽內；
一P型阱區，所述P型阱區內設有介質槽，所述介質槽內設有溝道區；所述所述P型阱區設于所述外延凹槽內；
一柵極，所述柵極包括兩個第一側柵以及一頂柵，所述頂柵兩端部分別連接至所述柵極的一端部的側面，形成倒U型結構，所述頂柵和第一側柵除頂部以及連接處外均被高k介質包圍，所述倒U型結構設于所述介質槽內，且突出于所述介質槽；
一漏極，所述源極設于所述介質槽內，且設于所述U型結構一側；
以及，一源極，所述源極設于所述介質槽內，且設于所述U型結構另一側。
2.如權利要求1所述的一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件，其特征在于：所述柵極還包括至少一個第二側柵，所述第二側柵均勻間隔設于兩個所述側柵內，且所述第二側柵一端部連接至所述頂柵，所述第二側柵處于頂柵連接處外均被高K介質包裹。
3.如權利要求2所述的一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件，其特征在于：所述第一側柵與第二側柵的厚度以及寬度相等。
4.如權利要求1所述的一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件，其特征在于：所述介質槽縱向深度小于P型阱區深度。
5.如權利要求1所述的一種三柵SiC橫向MOSFET功率器件，其特征在于：所述第一側柵縱向深度大于等于介質槽深度。
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