[發明專利]一種半導體功率模組及半導體功率模組的封裝方法

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• 申請號: 202110038666.6
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112786567A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 王琇如;唐和明
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884
• 代理人: 唐明磊

本發明公開一種半導體功率模組及半導體功率模組的封裝方法，該半導體功率模組包括：晶片載體；第一晶片，其底面通過第一結合層結合于晶片載體的頂面；第一晶片的底面設有第一底部電極，第一底部電極與晶片載體電連接；第一晶片的內部設有導電柱，導電柱的一端與第一底部電極電連接，另一端由第一晶片的頂面露出；第二晶片，其底面通過第二結合層結合于第一晶片的頂面；第二晶片的底面設有第二底部電極；第二底部電極通過導電柱與第一底部電極電連接。該封裝方法用于封裝上述半導體功率模組。本發明的半導體功率模組及半導體功率模組的封裝方法，將不同功能的晶片堆疊封裝，實現了晶片間的電性互連，同時縮小了產品尺寸，可滿足更高的應用需求。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種半導體功率模組及半導體功率模組的封裝方法。

背景技術

現有的半導體功率模組，一般將兩個或多個晶片焊在晶片載體上，然后通過金屬線實現晶片的電極之間的電性互連，以滿足功率模組的功能設計需求。半導體封裝產品(如半導體功率模組)的體積越小，在應用于電子產品時，可提高電子產品內的器件的密集度、集成度。但是，現有技術中的功率模組的體積較大，不能滿足更高的應用需求。

發明內容

本發明實施例的一個目的在于：提供一種半導體功率模組，其實現晶片的堆疊封裝，并可縮小產品尺寸。

本發明實施例的另一個目的在于：提供一種半導體功率模組的封裝方法，其可實現晶片的堆疊封裝，并可縮小產品尺寸。

為達上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種半導體功率模組，包括：

晶片載體；

第一晶片，其底面通過第一結合層結合于所述晶片載體的頂面；所述第一晶片的底面設有第一底部電極，所述第一底部電極與所述晶片載體電連接；所述第一晶片的內部設有導電柱，所述導電柱的一端與所述第一底部電極電連接，另一端由所述第一晶片的頂面露出；

第二晶片，其底面通過第二結合層結合于所述第一晶片的頂面；所述第二晶片的底面設有第二底部電極；所述第二底部電極通過所述導電柱與所述第一底部電極電連接。

作為優選，所述第一晶片的底面設有第一源極、第一柵極和第一漏極；所述第一源極、所述第一柵極和所述第一漏極均為所述第一底部電極；所述第二晶片的底面設有第二源極、第二柵極和第二漏極；所述第二源極、所述第二柵極和所述第二漏極均為所述第二底部電極；

所述半導體功率模組包括第一導電柱、第二導電柱和第三導電柱；所述第二源極通過所述第一導電柱與所述第一源極電連接，所述第二柵極通過所述第二導電柱與所述第一柵極電連接，所述第二漏極通過所述第三導電柱與所述第一漏極電連接。

作為優選，還包括金屬連接片，所述金屬連接片通過第三結合層結合于所述第二晶片的頂面；所述第二晶片的頂面設有第二頂部電極；所述第二頂部電極通過所述金屬連接片與所述晶片載體電連接。

作為優選，所述第一晶片的底面設有第一源極、第一柵極和第一漏極；所述第一源極、所述第一柵極和所述第一漏極均為所述第一底部電極；

所述第二晶片的底面設有第二源極、第二柵極和第二漏極；所述第二源極為所述第二頂部電極；所述第二柵極和所述第二漏極均為所述第二底部電極；

所述半導體功率模組包括第二導電柱和第三導電柱，所述第二柵極通過所述第二導電柱與所述第一柵極電連接，所述第二漏極通過所述第三導電柱與所述第一漏極電連接。

作為優選，所述第一結合層內設有電連接結構，所述第一底部電極通過所述第一結合層內的所述電連接結構與所述晶片載體電連接；

所述第二結合層內設有電連接結構，所述第二底部電極通過所述第二結合層內的電連接結構與所述導電柱電連接。