[發(fā)明專利]封裝電路板及電路板封裝方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110038405.4
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN114760749A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金立奎;王細(xì)心;陳苑明;車世民;李亮;王世威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;珠海方正科技高密電子有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02;H05K1/11;H05K3/40
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;黃健

1.一種封裝電路板，其特征在于，包括：多層電路板，在所述多層電路板的正面和/或反面上設(shè)置有多個(gè)第一元器件，其中，

針對(duì)任意一層電路板，所述電路板上設(shè)置有M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)和N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)位于所述電路板的側(cè)壁，所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)上設(shè)置有多個(gè)第二元器件，所述內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)用于將所述多個(gè)第二元器件與所述多個(gè)第一元器件連通，所述M和所述N分別為大于或等于1的整數(shù)；

所述多層電路板中存在至少兩層電路板之間設(shè)置有導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔用于使得所述至少兩層電路板之間連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝電路板，其特征在于，

針對(duì)任意一個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)第一元器件中的至少一個(gè)連通；

針對(duì)任意一個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)與所述M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝電路板，其特征在于，一個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)上設(shè)置有一個(gè)第二元器件，所述第二元器件與所述側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝電路板，其特征在于，針對(duì)任意一層電路板，所述電路板包括多個(gè)電路單元，所述M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)和所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)分別位于所述多個(gè)電路單元的側(cè)邊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝電路板，其特征在于，所述導(dǎo)通孔包括至少兩個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述至少兩個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)位于相鄰的至少兩層電路板上，所述至少兩個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)連通。

6.一種電路板封裝方法，其特征在于，包括：

針對(duì)多層電路板中的任意一層電路板，在所述電路板的內(nèi)部形成M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，以及在所述電路板的側(cè)壁上形成N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)；所述電路板正面和/或反面上用于設(shè)置有多個(gè)第一元器件，所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)上用于設(shè)置多個(gè)第二元器件，所述內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)用于將所述多個(gè)第二元器件與所述多個(gè)第一元器件連通，所述M和所述N分別為大于或等于1的整數(shù)；

在所述多層電路板的至少兩層電路板之間形成導(dǎo)通孔，所述導(dǎo)通孔用于使得所述至少兩層電路板之間連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述電路板的內(nèi)部形成M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，以及在所述電路板的側(cè)壁上形成N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括：

在所述電路板的內(nèi)部形成M個(gè)激光盲孔，并對(duì)所述M個(gè)激光盲孔進(jìn)行電鍍填充，以形成所述M個(gè)內(nèi)部導(dǎo)通結(jié)構(gòu)；

在所述電路板的側(cè)壁形成N個(gè)激光盲孔，并對(duì)所述N個(gè)激光盲孔進(jìn)行電鍍填充，以及對(duì)所述電路板的側(cè)壁進(jìn)行切除處理，以形成所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對(duì)所述N個(gè)激光盲孔進(jìn)行電鍍填充，以及對(duì)所述電路板的側(cè)壁進(jìn)行切除處理，以形成所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，包括：

對(duì)所述N個(gè)激光盲孔進(jìn)行電鍍填充，得到N個(gè)電鍍導(dǎo)通結(jié)構(gòu)；

確定側(cè)壁切除線，所述側(cè)壁切除線與所述N個(gè)電鍍導(dǎo)通結(jié)構(gòu)相交；

沿著所述側(cè)壁切除線對(duì)所述電路板的側(cè)壁進(jìn)行切除處理，以形成所述N個(gè)側(cè)壁導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，所述切除處理用于切除所述N個(gè)電鍍導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的一部分，以使所述N個(gè)電鍍導(dǎo)通結(jié)構(gòu)內(nèi)部的導(dǎo)體外露。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述電路板包括多個(gè)電路單元；在所述電路板的內(nèi)部形成M個(gè)激光盲孔，包括：

在所述多個(gè)電路單元中確定第一目標(biāo)電路單元，所述第一目標(biāo)電路單元位于所述電路板的中心位置；

在所述第一目標(biāo)電路單元中的預(yù)設(shè)位置形成所述M個(gè)激光盲孔，所述預(yù)設(shè)位置位于所述第一目標(biāo)電路單元的側(cè)邊。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述電路板包括多個(gè)電路單元；在所述電路板的側(cè)壁形成N個(gè)激光盲孔，包括：

在所述多個(gè)電路單元中確定第二目標(biāo)電路單元，所述第二目標(biāo)電路單元位于所述電路板的邊緣位置；

在所述第二目標(biāo)電路單元中的預(yù)設(shè)位置形成所述N個(gè)激光盲孔，所述預(yù)設(shè)位置位于所述第二目標(biāo)電路單元的側(cè)邊。