[發明專利]硅異質結太陽能電池的電極、其制備方法及電池在審
| 申請號: | 202110038031.6 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN113380904A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波;張奕軒 |
| 地址: | 242074 安徽省宣城市宣城經*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅異質結 太陽能電池 電極 制備 方法 電池 | ||
本申請實施例中提供了一種硅異質結太陽能電池的電極、其制備方法及電池,屬于電池技術領域。硅異質太陽能電池包括基底層、非晶硅層、透明氧化物導電層,在透明氧化物導電層上還設有第一漿料層和第二漿料層。在透明氧化物導電層上設置第一漿料層,得到第一中間產物;干燥第一中間產物,得到干燥的第一中間產物;在干燥的第一中間產物的第一漿料層上方設置第二漿料層,得到第二中間產物;干燥第二中間產物,得到干燥的第二中間產物;干燥的第二中間產物經過固化,得到硅異質結太陽能電池的電極。該電池包括該電極。其能夠提高電池的短路電流,焊接性能,可靠性,改善接觸電阻,并且成本可控。
技術領域
本申請涉及電池技術領域,尤其涉及一種硅異質結太陽能電池的電極、其制備方法及電池。
背景技術
晶硅異質結太陽能電池,其結構是在n型硅片的兩面分別沉積本征和摻雜非晶硅薄膜以及透明導電氧化物膜層,并通過縱橫布置的柵線電極來導出所產生的電流。由于非晶硅具有光吸收強、鈍化效果出色的特點,可以實現更高的光電轉換效率。晶硅異質結太陽能電池制備工藝溫度低、轉換效率高、高溫特性好,是一種非常有競爭力和應用前景的新型高效太陽電池。
現有技術中,為了有效降低電極,尤其是正面電極遮擋面積,柵線寬度越來越小,絲網印刷的工藝難度越來越大,虛印斷柵導致的良品率下降明顯。
發明內容
有鑒于此,本申請實施例提供一種硅異質結太陽能電池的電極、其制備方法及電池,至少部分解決現有技術中存在的問題。
為了實現上述第一個目的,本發明提供的硅異質結太陽能電池的電極的技術方案如下:
本發明提供的硅異質結太陽能電池的電極,所述硅異質太陽能電池包括基底層、非晶硅層、透明氧化物導電層,在所述透明氧化物導電層上還設有第一漿料層和第二漿料層,其中,所述第一漿料層中的銀的質量百分含量高于所述第二漿料層中的銀的質量百分含量。
本發明提供的硅異質結太陽能電池的電極還可以采用以下技術方案進一步實現:
作為優選,在所述硅異質結太陽能電池的電極的主柵部分,所述第一漿料層與所述第二漿料層在正投影方向上重合。
作為優選,在所述硅異質結太陽能電池的電極的副柵部分,所述第一漿料層與所述第二漿料層以點狀排布。
作為優選,所述點狀的形狀選自三角形、圓形、方形中的一種或者幾種,所述點狀的尺寸取值范圍為5μm-30μm,所述排布方式為矩陣陣列均勻排布。
作為優選,所述第一漿料層物質組成中的銀的質量百分含量具體組成包括:累計粒度分布百分數達到50%時所對應的粒徑為2.6μm的球形銀粉:82%-88%,累計粒度分布百分數達到50%時所對應的粒徑為120nm的球形銀粉:6%-12%。
作為優選,所述第二漿料層物質組成中的銀的質量百分含量具體組成包括:納米銀線:55%-65%,球形納米銀粉:6%-12%,樹枝狀銀粉:5%-10%。
作為優選,所述第二漿料層物質組成中:
所述納米銀線的直徑為20nm-40nm,所述納米銀線的長度取值范圍為8μm-14μm;
所述球形納米銀粉的累計粒度分布百分數達到50%時所對應的粒徑為70nm-90nm;
所述樹枝狀銀粉的平均團聚尺寸的取值范圍為3μm-10μm,所述樹枝狀納米銀粉單支尺寸的取值范圍為60nm-400nm。
為了實現上述第二個目的,本發明提供的硅異質結太陽能電池的電極制備方法的技術方案如下:
本發明提供的硅異質結太陽能電池的電極制備方法,所述硅異質太陽能電池包括基底層、非晶硅層、透明氧化物導電層,所述硅異質結太陽能電池的電極制備方法包括以下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業(有限合伙),未經宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業(有限合伙)許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110038031.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





