[發(fā)明專(zhuān)利]一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110037765.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112877660A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉哲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安美麗起點(diǎn)生物科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/20;B05D7/24;B05D1/00
• 代理公司: 北京金宏來(lái)專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 萬(wàn)文會(huì)

1.一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：包括以下步驟，

a、干細(xì)胞培養(yǎng)吸管，消毒處理，經(jīng)高頻振蕩清洗；

b、干細(xì)胞培養(yǎng)吸管穩(wěn)態(tài)放置，去水平條件下的立體最大徑，訂制銀靶，將基底材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)置入銀靶；

c、通過(guò)電磁濺射，對(duì)目標(biāo)物銀靶轟擊，在磁控濺射真空室外側(cè)的外靶上860直徑0.1cm纏繞銅絲匝，清理真空室，把基底材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)放置于內(nèi)靶，封閉真空室，開(kāi)始對(duì)真空室抽真空，真空度為10^-6；

d、向真空室中輸入惰性氣體填充；

e、控制電壓220V，電流值在4A，并使內(nèi)靶經(jīng)磁控濺射在基底材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)表面形成銀納米膜，用銀靶對(duì)基體轟材轟擊，自然冷卻，再次打開(kāi)銀靶轟擊基底材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)，使固體表面的Ag原子離開(kāi)銀靶并沉積在我們需要的材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)基底表面，直至形成Ag納米膜，反轉(zhuǎn)放置干細(xì)胞培養(yǎng)吸管，重復(fù)上述過(guò)程；

f、取離心容器放置于攪拌機(jī)內(nèi)，打開(kāi)攪拌機(jī)，20轉(zhuǎn)/min，緩慢導(dǎo)入極性惰性分散液，進(jìn)行化學(xué)穩(wěn)定和溶解，形成第一溶液；

g、向步驟f的第一溶液導(dǎo)入納米銀膠漿，攪拌均勻，形成第二溶液備用；

h、將步驟e中的干細(xì)胞培養(yǎng)吸管放置于離心容器內(nèi)，打開(kāi)離心機(jī)進(jìn)行旋涂；

i、取出干細(xì)胞培養(yǎng)吸管，抽真空干燥1-4h，在0-5℃條件下保存，制備細(xì)胞備用。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述銀靶對(duì)基體轟材轟擊時(shí)間15-25min，關(guān)閉銀靶自然冷卻15-30min，再打開(kāi)銀靶轟擊基底材料(干細(xì)胞培養(yǎng)吸管)1-10min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液采用N-N二甲基乙酰胺和N-N二甲基甲酰胺一種或是二者按照0.5：2進(jìn)行混合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述惰性氣體為氮?dú)?、氦氣、氬氣中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA)為15-22。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質(zhì)量比0.05-0.2％的納米銀含量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質(zhì)量比0.18％的納米銀含量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述旋涂為速度5000-10000rpm，時(shí)間為1-5min下進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)納米銀的負(fù)載。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過(guò)程重復(fù)1-4次，制得占總質(zhì)量0.18％的含納米銀基體納米膜，抽出DMF分散液。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射與化學(xué)梯度沉降輔助納米銀包膜在干細(xì)胞培養(yǎng)吸管的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過(guò)程重復(fù)3次；

所述步驟e中抽真空干燥時(shí)間控制3h，在4℃條件下保存，制備細(xì)胞備用。