[發(fā)明專利]一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110037763.3 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112877659A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉哲 | 申請(專利權)人: | 西安美麗起點生物科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/20;B05D1/00;B05D7/24 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 萬文會 |
| 地址: | 710004 陜西省西安市經濟技術開*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁控濺射 化學 梯度 沉降 輔助 納米 銀包 干細胞 液體 流動 導管 形成 方式 | ||
1.一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:包括以下步驟,
a、干細胞液體流動導管,消毒處理,經高頻振蕩清洗;
b、干細胞液體流動導管穩(wěn)態(tài)放置,去水平條件下的立體最大徑,訂制銀靶,將基底材料(干細胞液體流動導管)置入銀靶;
c、通過電磁濺射,對目標物銀靶轟擊,在磁控濺射真空室外側的外靶上860直徑0.1cm纏繞銅絲匝,清理真空室,把基底材料(干細胞液體流動導管)放置于內靶,封閉真空室,開始對真空室抽真空,真空度為10-6;
d、向真空室中輸入惰性氣體填充;
e、控制電壓220V,電流值在4A,并使內靶經磁控濺射在基底材料(干細胞液體流動導管)表面形成銀納米膜,用銀靶對基體轟材轟擊,自然冷卻,再次打開銀靶轟擊基底材料(干細胞液體流動導管),使固體表面的Ag原子離開銀靶并沉積在我們需要的材料(干細胞液體流動導管)基底表面,直至形成Ag納米膜,反轉放置干細胞液體流動導管,重復上述過程;
f、取離心容器放置于攪拌機內,打開攪拌機,20轉/min,緩慢導入極性惰性分散液,進行化學穩(wěn)定和溶解,形成第一溶液;
g、向步驟f的第一溶液導入納米銀膠漿,攪拌均勻,形成第二溶液備用;
h、將步驟e中的干細胞液體流動導管放置于離心容器內,打開離心機進行旋涂;
i、取出干細胞液體流動導管,抽真空干燥1-4h,在0-5℃條件下保存,制備細胞備用。
2.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述銀靶對基體轟材轟擊時間15-25min,關閉銀靶自然冷卻15-30min,再打開銀靶轟擊基底材料(干細胞液體流動導管)1-10min。
3.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述極性惰性分散液采用N-N二甲基乙酰胺和N-N二甲基甲酰胺一種或是二者按照0.5:2進行混合。
4.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述惰性氣體為氮氣、氦氣、氬氣中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述極性惰性分散液拓撲分子極性表面積(TPSA)為15-22。
6.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述納米銀膠漿占總質量比0.05-0.2%的納米銀含量。
7.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述納米銀膠漿占總質量比0.18%的納米銀含量。
8.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述旋涂為速度5000-10000rpm,時間為1-5min下進行操作實現納米銀的負載。
9.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述步驟d中旋涂過程重復1-4次,制得占總質量0.18%的含納米銀基體納米膜,抽出DMF分散液。
10.根據權利要求1所述的一種磁控濺射與化學梯度沉降輔助納米銀包膜在干細胞液體流動導管的形成方式,其特征在于:所述步驟d中旋涂過程重復3次;
所述步驟e中抽真空干燥時間控制3h,在4℃條件下保存,制備細胞備用。
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