[發明專利]一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式

在審

• 申請號: 202110037752.5
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112891627A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 劉哲
• 申請（專利權）人: 西安美麗起點生物科技有限公司
• 主分類號: A61L27/30
• 分類號: A61L27/30;A61L27/54;B05D1/00
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 萬文會

1.一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：包括以下步驟，

a、干細胞培養隔層支架，消毒處理，經高頻振蕩清洗；

b、取離心容器放置于攪拌機內，打開攪拌機，20轉/min，緩慢導入極性惰性分散液，進行化學穩定和溶解，形成第一溶液；

c、向步驟b的第一溶液導入納米銀膠漿，攪拌均勻，形成第二溶液備用；

d、將步驟a中的干細胞培養隔層支架放置于離心容器內，打開離心機進行旋涂；

e、取出干細胞培養隔層支架，抽真空干燥1-4h，在0-5℃條件下保存，制備細胞備用。

2.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液采用N-N二甲基乙酰胺和N-N二甲基甲酰胺一種或是二者按照0.5：2進行混合。

3.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液的參數控制，沸點153℃，相對密度0.95，相對蒸氣密度2.51，臨界溫度374℃，折射率(25℃)：1.42817，黏度(,25℃)0.802mPa·s，比旋光度0.94°，電導率6×10-8S/m，熱導率C0.1657W/(m·K),20°。

4.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液拓撲分子極性表面積(TPSA)為15-22。

5.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質量比0.05-0.2％的納米銀含量。

6.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質量比0.18％的納米銀含量。

7.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述旋涂為速度5000-10000rpm，時間為1-5min下進行操作實現納米銀的負載。

8.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過程重復1-4次，制得占總質量0.18％的含納米銀基體納米膜，抽出DMF分散液。

9.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過程重復3次。

10.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞培養隔層支架的形成方式，其特征在于：所述步驟e中抽真空干燥時間控制3h，在4℃條件下保存，制備細胞備用。