[發明專利]一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式

在審

• 申請號: 202110037682.3
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112871609A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 劉哲
• 申請（專利權）人: 西安美麗起點生物科技有限公司
• 主分類號: B05D7/24
• 分類號: B05D7/24;B05D1/00
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 萬文會

1.一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：包括以下步驟，

a、干細胞細胞刮刀，消毒處理，經高頻振蕩清洗；

b、取離心容器放置于攪拌機內，打開攪拌機，20轉/min，緩慢導入極性惰性分散液，進行化學穩定和溶解，形成第一溶液；

c、向步驟b的第一溶液導入納米銀膠漿，攪拌均勻，形成第二溶液備用；

d、將步驟a中的干細胞細胞刮刀放置于離心容器內，打開離心機進行旋涂；

e、取出干細胞細胞刮刀，抽真空干燥1-4h，在0-5℃條件下保存，制備細胞備用。

2.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液采用N-N二甲基乙酰胺和N-N二甲基甲酰胺一種或是二者按照0.5：2進行混合。

3.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液的參數控制，沸點153℃，相對密度0.95，相對蒸氣密度2.51，臨界溫度374℃，折射率(25℃)：1.42817，黏度(,25℃)0.802mPa·s，比旋光度0.94°，電導率6×10-8S/m，熱導率C0.1657W/(m·K),20°。

4.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述極性惰性分散液拓撲分子極性表面積(TPSA)為15-22。

5.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質量比0.05-0.2％的納米銀含量。

6.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述納米銀膠漿占總質量比0.18％的納米銀含量。

7.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述旋涂為速度5000-10000rpm，時間為1-5min下進行操作實現納米銀的負載。

8.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過程重復1-4次，制得占總質量0.18％的含納米銀基體納米膜，抽出DMF分散液。

9.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述步驟d中旋涂過程重復3次。

10.根據權利要求1所述的一種化學梯度沉降納米銀包膜在干細胞細胞刮刀的形成方式，其特征在于：所述步驟e中抽真空干燥時間控制3h，在4℃條件下保存，制備細胞備用。