[發(fā)明專利]一種等離子刻蝕裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110036756.1
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN112863992B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅凱;王子榮;康凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種等離子刻蝕裝置，包括工藝腔、第一基座、第二基座、兩個(gè)下射頻、第一托盤、第二托盤、上定位組件和下定位組件，工藝腔外套設(shè)有射頻線圈；第一基座和第二基座分別設(shè)在工藝腔的頂壁和底壁；兩個(gè)下射頻分別連接于第一基座和第二基座；第一托盤和第二托盤均用于放置待蝕刻件；上定位組件用于將第一托盤固定于第一基座；下定位組件用于將第二托盤固定于第二基座。本發(fā)明提供的等離子刻蝕裝置在不增加工藝腔體積的情況下，能夠刻蝕原來(lái)兩倍的晶片，極大地提高了刻蝕晶片的數(shù)量，提高效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子刻蝕裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的設(shè)備和工藝來(lái)完成的。其中，刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造中一種重要的工藝，如等離子刻蝕工藝。目前半導(dǎo)體刻蝕有干刻蝕和濕刻蝕兩種方法，干刻蝕是把芯片周圍的氣體激發(fā)成為等離子體，等離子體在偏壓引導(dǎo)下轟擊由光刻膠做掩護(hù)的芯片表面，與芯片發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)，從而在芯片表面刻蝕出所需形貌。現(xiàn)有的干刻蝕設(shè)備包括相對(duì)設(shè)置的上電極和下電極、設(shè)置在下電極上的基座。將芯片放置在基座上，芯片上方的反應(yīng)氣體在上電極和下電極的作用下激發(fā)成為等離子體并轟擊芯片表面，進(jìn)行干法刻蝕。

隨著工業(yè)生產(chǎn)對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)能的需求越來(lái)越高，需要提高單次可產(chǎn)晶片的數(shù)量，目前的刻蝕的改進(jìn)方向主要是增大工藝腔，從而獲得大面積的等離子體，進(jìn)而需要使用更大的托盤使得單盤內(nèi)可以放置更多的晶片，而在圓柱形等離子體源中，腔體的高度和直徑之比往往是1或者更大，等離子體在生產(chǎn)和運(yùn)輸過(guò)程中所帶來(lái)的徑向不均勻性不可避免，這種徑向不均勻性隨著等離子體體積的增大而增大，這就使得通過(guò)增大工藝腔來(lái)獲得大面積均勻的等離子體變得十分困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種等離子刻蝕裝置，在不增加工藝腔的情況下能夠刻蝕原來(lái)兩倍的晶片，提升產(chǎn)能。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種等離子刻蝕裝置，包括：

工藝腔，所述工藝腔外套設(shè)有射頻線圈；

第一基座和第二基座，所述第一基座和所述第二基座分別設(shè)在所述工藝腔的頂壁和底壁；

兩個(gè)下射頻，分別連接于所述第一基座和所述第二基座；

第一托盤和第二托盤，所述第一托盤和所述第二托盤均用于放置待蝕刻件；

上定位組件，所述上定位組件用于將所述第一托盤固定于所述第一基座；

下定位組件，所述下定位組件用于將所述第二托盤固定于所述第二基座。

作為優(yōu)選，所述上定位組件包括第一驅(qū)動(dòng)件以及設(shè)置于所述第一驅(qū)動(dòng)件的上壓緊件，所述第一驅(qū)動(dòng)件能驅(qū)動(dòng)所述上壓緊件升降，以使所述上壓緊件將所述第一托盤壓緊于所述第一基座。

作為優(yōu)選，所述第一驅(qū)動(dòng)件數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述第一驅(qū)動(dòng)件均布于所述第一基座的外周。

作為優(yōu)選，所述上壓緊件呈環(huán)形。

作為優(yōu)選，所述上定位組件還包括第二驅(qū)動(dòng)件以及設(shè)置于所述第二驅(qū)動(dòng)件的吸盤，所述第二驅(qū)動(dòng)件能驅(qū)動(dòng)所述吸盤升降。

作為優(yōu)選，所述下定位組件包括第三驅(qū)動(dòng)件以及設(shè)置于所述第三驅(qū)動(dòng)件的下壓緊件，所述第三驅(qū)動(dòng)件能驅(qū)動(dòng)所述下壓緊件升降，以使所述下壓緊件將所述第二托盤壓緊于所述第二基座。

作為優(yōu)選，所述下壓緊件呈環(huán)形。

作為優(yōu)選，所述第三驅(qū)動(dòng)件數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述第三驅(qū)動(dòng)件均布于所述第二基座的外周。

作為優(yōu)選，所述第二基座上活動(dòng)設(shè)有頂針，所述頂針能伸出或縮入所述第二基座，所述頂針能與所述第二托盤抵接。