[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202110035975.8
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112864173A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 劉文渠;姚琪;孟德天;張鋒;崔釗;董立文;宋曉欣;侯東飛;王利波;呂志軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L29/08;H01L21/77
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 曲鵬

1.一種顯示基板，其特征在于，包括基底，設置在所述基底上的有源結構層，設置在所述有源結構層遠離所述基底一側的第一源漏結構層，以及設置在所述第一源漏結構層遠離所述基底一側的第二源漏結構層；所述有源結構層包括第一有源層和第二有源層，所述第一源漏結構層包括第一有源過孔和第一源漏電極，所述第一源漏電極通過所述第一有源過孔與所述第一有源層連接；所述第二源漏結構層包括第二有源過孔和第二源漏電極，所述第二源漏電極通過所述第二有源過孔與所述第二有源層連接。

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述有源結構層包括：設置在所述基底上的第一絕緣層，設置在所述第一絕緣層遠離所述基底一側的第一有源層，覆蓋所述第一有源層的第二絕緣層，設置在所述第二絕緣層遠離所述基底一側的第一柵電極，覆蓋所述第一柵電極的第三絕緣層，設置在所述第三絕緣層遠離所述基底一側的遮光層，覆蓋所述遮光層的第四絕緣層，設置在所述第四絕緣層遠離所述基底一側的第二有源層，設置在所述第二有源層遠離所述基底一側的第五絕緣層，設置在所述第五絕緣層遠離所述基底一側的第二柵電極。

3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一源漏結構層包括：覆蓋所述有源結構層的第六絕緣層，以及設置在所述第六絕緣層遠離所述基底一側的第一源電極和第一漏電極；所述第二絕緣層、第三絕緣層、第四絕緣層和第六絕緣層上形成有第一有源過孔，所述第一源電極和第一漏電極通過所述第一有源過孔分別與所述第一有源層連接。

4.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第二源漏結構層包括：覆蓋所述第一源漏結構層的第七絕緣層，設置在所述第七絕緣層遠離所述基底一側的第一平坦層，以及設置在所述第七絕緣層遠離所述基底一側的第二源電極和第二漏電極；所述第六絕緣層、第七絕緣層和第一平坦層上形成有第二有源過孔，所述第二源電極和第二漏電極通過所述第二有源過孔分別與所述第二有源層連接。

5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述第二有源過孔包括：通過一次圖案化工藝在所述第七絕緣層上形成的過孔，以及通過另一次圖案化工藝在所述第一平坦層和第六絕緣層上形成的過孔。

6.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述第二源漏結構層還包括連接電極，所述連接電極通過過孔與所述第一源漏電極連接，所述連接電極與所述第二源電極和第二漏電極同層設置。

7.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括設置在所述第二源漏結構層上的第二平坦層和設置在所述第二平坦層上的陽極，所述陽極通過過孔與所述連接電極連接。

8.根據權利要求1至7任一項所述的顯示基板，其中，所述第一有源層的材料包括低溫多晶硅，所述第二有源層的材料包括氧化物；或者，所述第一有源層的材料包括氧化物，所述第二有源層的材料包括低溫多晶硅。

9.一種顯示裝置，包括如權利要求1至8任一項所述的顯示基板。

10.一種顯示基板的制備方法，包括：

在基底上形成有源結構層，所述有源結構層包括第一有源層和第二有源層；

在所述有源結構層上形成第一源漏結構層，所述第一源漏結構層包括第一有源過孔和第一源漏電極，所述第一源漏電極通過所述第一有源過孔與所述第一有源層連接；

在所述第一源漏結構層上形成第二源漏結構層，所述第二源漏結構層包括第二有源過孔和第二源漏電極，所述第二源漏電極通過所述第二有源過孔與所述第二有源層連接。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其中，在基底上形成有源結構層，包括：

在基底上依次形成第一絕緣層、第一有源層、第二絕緣層、第一柵電極、第三絕緣層、遮擋層、第四絕緣層和第二有源層；

形成設置在所述第二有源層上的第五絕緣層和設置在所述第五絕緣層上的第二柵電極。