[發明專利]異質結太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 202110035157.8
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112864284A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 張津燕;吳科俊;王琳;陳金元
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0747
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于制造異質結太陽能電池的方法，所述方法包括以下步驟：

通過制絨清洗工藝對N型單晶硅片進行制絨及清洗；

通過本征PECVD工藝在N型單晶硅片的正反兩面上分別形成第一本征非晶硅層以及第二本征非晶硅層；

通過N型PECVD工藝在所述第一本征非晶硅層上形成N型非晶硅層；

通過第一P型PECVD工藝在所述第二本征非晶硅層上形成第一P型非晶硅層，其中所述第一P型非晶硅層中的P型雜質濃度沿著遠離所述第二本征非晶硅層的方向在X％-Y％的范圍內以第一斜率線性增長；

通過第二P型PECVD工藝在所述第一P型非晶硅層上形成第二P型非晶硅層，所述第二P型非晶硅層中的P型雜質濃度沿著遠離所述第一P型非晶硅層的方向在Y％-Z％的范圍內以第二斜率線性增長；

通過反應等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在所述N型非晶硅層以及所述第二P型非晶硅層上分別形成第一透明導電膜以及第二透明導電膜；以及

通過絲網印刷工藝在所述第一透明導電膜以及所述第二透明導電膜上分別形成第一電極以及第二電極。

2.根據權利要求1所述的用于制造異質結太陽能電池的方法，其特征在于，所述第一P型PECVD工藝以及所述第二P型PECVD工藝中的工藝氣體均包括硼烷與硅烷的混合氣體，其中0≤X≤2，1≤Y≤9，5≤Z≤10，XYZ。

3.根據權利要求1所述的用于制造異質結太陽能電池的方法，其特征在于，所述第一P型非晶硅層的厚度為1-10nm，所述第二P型非晶硅層的厚度為1-10nm，所述第一P型非晶硅層與所述第二P型非晶硅層的厚度之和為6-20nm。

4.根據權利要求1所述的用于制造異質結太陽能電池的方法，其特征在于，所述第一斜率與所述第二斜率相等，或者所述第一斜率大于所述第二斜率，或者所述第一斜率小于所述第二斜率。

5.根據權利要求4所述的用于制造異質結太陽能電池的方法，其特征在于，所述N型非晶硅層的厚度為5-10nm，所述第一透明導電膜以及所述第二透明導電膜的厚度均為70-110nm。

6.一種異質結太陽能電池，其包括N型單晶硅片，所述N型單晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅層、N型非晶硅層、第一透明導電膜以及第一電極，所述N型單晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅層、第一P型非晶硅層、第二P型非晶硅層、第二透明導電膜以及第二電極，其中所述第一P型非晶硅層中的P型雜質濃度沿著遠離所述第二本征非晶硅層的方向在X％-Y％的范圍內以第一斜率線性增長，所述第二P型非晶硅層中的P型雜質濃度沿著遠離所述第一P型非晶硅層的方向在Y％-Z％的范圍內以第二斜率線性增長。

7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一P型非晶硅層以及所述第二P型非晶硅層中的P型雜質分別通過第一P型PECVD工藝以及第二P型PECVD工藝形成，所述第一P型PECVD工藝以及第二P型PECVD工藝中的工藝氣體均包括硼烷與硅烷的混合氣體，其中0≤X≤2，1≤Y≤9，5≤Z≤10，XYZ。

8.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一P型非晶硅層的厚度為1-10nm，所述第二P型非晶硅層的厚度為1-10nm，所述第一P型非晶硅層與所述第二P型非晶硅層的厚度之和為6-20nm。

9.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一斜率與所述第二斜率相等，或者所述第一斜率大于所述第二斜率，或者所述第一斜率小于所述第二斜率。

10.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述N型非晶硅層的厚度為5-10nm，所述第一透明導電膜以及所述第二透明導電膜的厚度均為70-110nm。