[發明專利]一種陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202110034950.6
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN112864253B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 胡小波;彭釗
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/15
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本申請公開了一種陣列基板及顯示面板，該陣列基板包括基板、陣列模塊、發光模塊及隔熱層。采用隔熱層對應所述陣列模塊設置在所述陣列模塊遠離所述基板的一側，并向所述基板的方向延伸以隔離所述陣列模塊與所述發光模塊。隔熱層可以隔絕發光模塊發光時散發的熱量，避免了陣列模塊閾值電壓漂移。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術

拼接發光二極管(Light Emitting Diode,LED)顯示憑借無縫、色彩優勢，在顯示行業中擁有很大市場。縮小LED之間的間距(pitch)是未來主流發展趨勢，而玻璃基底更易實現小間距，且主動矩陣式(Active matrix,AM)驅動成本更優。因此，采用玻璃背板，以薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)為驅動開關的AM LED直顯基板顯得更有發展前景。

在對現有技術的研究和實踐過程中，本申請的發明人發現，相較于采用LED背光和液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)模組的結構來說，玻璃基直顯LED基板的TFT開關與發光二極管芯片(LED chip)處于同一平面，且距離較近。由于LED的光電轉換效率較低，大部分LED的能量會轉化成熱量，從而擴散到TFT區域，造成TFT的閾值電壓(V_th)負漂，導致通過LED的電流增大，使得LED發光越來越亮，進而散發更多的熱量，以此往復。

因此，如何保證驅動TFT不受到LED發光散熱的影響尤為重要。

發明內容

本申請提供一種陣列基板及顯示面板，可以避免陣列模塊受到發光模塊發光散熱的影響。

本申請提供一種陣列基板，包括：

基板；

陣列模塊，所述陣列模塊設置在所述基板上；

發光模塊，所述發光模塊設置在基板上，且所述發光模塊與所述陣列模塊相鄰設置；

隔熱層，所述隔熱層設置在所述陣列模塊遠離所述基板的一側，所述隔熱層對應所述陣列模塊設置，并向所述基板的方向延伸以隔離所述陣列模塊與所述發光模塊。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述發光模塊包括第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層設置在所述基板上，所述第一柵極絕緣層上設置有多個第一通孔。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述基板上設置有散熱層，所述散熱層設置在靠近所述第一柵極絕緣層的一側，所述散熱層對應所述發光模塊設置，多個所述第一通孔連通所述發光模塊與所述散熱層。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述陣列模塊包括第一金屬層、第二柵極絕緣層、半導體層、第一層間絕緣層、第二金屬層及第一鈍化層；所述第一金屬層設置在所述基板上，且部分覆蓋所述基板；所述第二柵極絕緣層設置在所述第一金屬層遠離所述基板的一側，并延伸至所述基板；所述半導體層對應所述第一金屬層設置在所述第二柵極絕緣層遠離所述基板的一側；所述第一層間絕緣層對應所述半導體層設置在所述半導體層遠離所述基板的一側；所述第二金屬層對應所述第一層間絕緣層設置在所述第一層間絕緣層遠離所述基板的一側；所述第一鈍化層設置在所述第二金屬層遠離所述基板的一側，且延伸至所述第二柵極絕緣層。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一鈍化層上設置有多個第二通孔，或所述第一鈍化層遠離所述基板的一側設置有多個盲孔，所述隔熱層設置在所述第一鈍化層遠離所述基板的一側，并延伸至所述第二通孔或盲孔中。