[發明專利]集成芯片結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202110034765.7
• 申請日: 2021-01-12
• 公開（公告）號: CN113451246A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 高敏峰;楊敦年;林杏芝;劉人誠;朱怡欣;陳品孜
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成芯片結構，包括：

標準通孔，設置在襯底的第一側上；

過尺寸通孔，設置在所述襯底的第一側上，并且與所述標準通孔橫向分隔開，其中，所述過尺寸通孔具有大于所述標準通孔的寬度；

互連線，垂直接觸所述過尺寸通孔；以及

襯底通孔(TSV)，從所述襯底的第二側延伸并且穿過所述襯底，以物理接觸所述過尺寸通孔或所述互連線，其中，所述襯底通孔具有小于所述過尺寸通孔的寬度的最小寬度。

2.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述過尺寸通孔垂直位于所述互連線和所述襯底的第一側之間。

3.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述互連線垂直位于所述過尺寸通孔和所述襯底的第一側之間。

4.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述襯底通孔垂直通過所述互連線并且延伸至所述過尺寸通孔中。

5.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述襯底通孔垂直通過所述過尺寸通孔并且延伸至所述互連線。

6.根據權利要求1所述的集成芯片結構，還包括：

柵極結構，設置在所述襯底上；

第一層間介電(ILD)層，橫向圍繞所述柵極結構；以及

第二層間介電層，位于所述第一層間介電層上，其中，所述襯底通孔延伸穿過第一層間介電層，以在通過所述過尺寸通孔與所述第二層間介電層分隔開的位置處接觸所述過尺寸通孔。

7.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述互連線和所述過尺寸通孔共同具有大于或等于1000埃的厚度。

8.根據權利要求1所述的集成芯片結構，其中，所述過尺寸通孔橫向延伸越過所述襯底通孔的相對側。

9.一種集成芯片結構，包括：

第一集成芯片層，包括設置在第一襯底上的第一介電結構內的第一多個互連層；

第二集成芯片層，包括設置在第二襯底上的第二介電結構內的第二多個互連層，所述第二多個互連層包括：

標準通孔，物理接觸第一互連線；

過尺寸通孔，物理接觸第二互連線，其中，所述過尺寸通孔具有大于所述標準通孔的尺寸；以及

襯底通孔(TSV)，延伸穿過所述第二襯底并且物理接觸所述過尺寸通孔，其中，所述過尺寸通孔橫向圍繞所述襯底通孔的相對側。

10.一種形成集成芯片結構的方法，包括：

在沿襯底的第一側形成的第一層間介電(ILD)層內形成互連線；

在沿所述襯底的第一側形成的第二層間介電層內形成標準通孔；

在所述第二層間介電層內形成過尺寸通孔，其中，所述過尺寸通孔具有大于所述標準通孔的寬度；

蝕刻所述襯底以形成穿過所述襯底延伸至所述互連線或所述過尺寸通孔的襯底通孔(TSV)開口，其中，所述互連線接觸所述過尺寸通孔；以及

在所述襯底通孔開口內形成一種或多種導電材料，以限定襯底通孔(TSV)。