[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110034361.8
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN113113491A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘政庭;蔡慶威;程冠倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管包括：

多個(gè)第一溝道構(gòu)件，和

第一柵極結(jié)構(gòu)，環(huán)繞所述多個(gè)第一溝道構(gòu)件中的每個(gè)；以及第二晶體管，所述第二晶體管包括：

多個(gè)第二溝道構(gòu)件，以及

第二柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件的上方，

其中，所述多個(gè)第一溝道構(gòu)件中的每個(gè)具有第一寬度和小于所述第一寬度的第一高度，

其中，所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件中的每個(gè)具有第二寬度和大于所述第二寬度的第二高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一溝道構(gòu)件的間距與所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件的間距相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一寬度大于所述第二寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層和柵電極，

其中，所述柵電極通過所述柵極介電層與所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件間隔，

其中，所述柵極介電層環(huán)繞所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件的每個(gè)，以及

其中，所述柵電極沒有完全環(huán)繞所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件中的每個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述柵極介電層包括與所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件中的一個(gè)相鄰的第一部分和與所述多個(gè)第二溝道構(gòu)件中的另一個(gè)相鄰的第二部分，

其中所述第一部分與所述第二部分接觸。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管包括：

第一溝道構(gòu)件，在第一底座部分的上方并與所述第一底座部分間隔，和

第一柵極結(jié)構(gòu)，環(huán)繞所述第一溝道構(gòu)件；以及

第二晶體管，所述第二晶體管包括：

第二溝道構(gòu)件，在第二底座部分的上方并與所述第二底座部分間隔，和

第二柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二溝道構(gòu)件的上方，并包括界面層、柵極介電層和柵電極，

其中，所述界面層設(shè)置在所述第二溝道構(gòu)件和所述第二底座部分上，

其中，所述柵極介電層設(shè)置在所述界面層上，

其中，所述柵電極不在所述第二溝道構(gòu)件與所述第二底座部分之間延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括

柵極間隔層，沿所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和所述第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一溝道構(gòu)件沿方向在第一源極/漏極部件與第二源極/漏極部件之間縱向延伸，

其中，所述第一溝道構(gòu)件包括直接在所述第一柵極結(jié)構(gòu)下方的溝道部分和沿所述方向在所述溝道部分與所述第一源極/漏極部件之間的連接部分，以及

其中，所述連接部分的高度大于所述溝道部分的高度。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上沉積堆疊件，所述堆疊件包括由多個(gè)犧牲層交錯(cuò)的多個(gè)溝道層；

將所述堆疊件和所述襯底圖案化為第一鰭狀結(jié)構(gòu)和第二鰭狀結(jié)構(gòu)；

在所述第一鰭狀結(jié)構(gòu)的第一溝道區(qū)的上方形成第一偽柵極堆疊件，并且在所述第二鰭狀結(jié)構(gòu)的第二溝道區(qū)的上方形成第二偽柵極堆疊件；

形成將所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)夾在中間的源極/漏極部件；

除去所述第一偽柵極堆疊件和所述第二偽柵極堆疊件；

選擇性除去所述第一溝道區(qū)中的所述犧牲層，以釋放所述第一溝道區(qū)中的溝道層；

選擇性除去所述第二溝道區(qū)中的所述犧牲層，以在所述第二溝道區(qū)中形成第一溝道構(gòu)件；

選擇性修剪所述第一溝道區(qū)中的溝道層，以在所述第一溝道區(qū)中形成第二溝道構(gòu)件；

在所述第二溝道構(gòu)件的上方形成第一柵極結(jié)構(gòu)；以及

在所述第一溝道構(gòu)件的上方形成第二柵極結(jié)構(gòu)。