[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110034188.1
• 申請日: 2019-07-04
• 公開（公告）號: CN112880850A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 山下哲生;稗田智宏;村岡宏記;田畑光晴;增田晃一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G01K7/16
• 分類號: G01K7/16;H02M1/00;H02M7/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明涉及半導體裝置以及電力變換裝置，其目的在于得到能夠在抑制半導體芯片的部件數量的同時檢測半導體芯片自身的溫度的半導體裝置以及電力變換裝置。本發明涉及的半導體裝置具備：半導體芯片，其電阻值與溫度相對應地變化；外部電阻，其與該半導體芯片串聯連接；以及檢測部，其在向由該半導體芯片和該外部電阻形成的串聯電路的兩端施加了第1電壓的狀態下，對施加至該外部電阻的兩端的第2電壓進行檢測，該檢測部根據該第2電壓對該半導體芯片的溫度進行計算。

本申請是基于2019年7月4日提出的申請號201910600380.5申請(半導體裝置以及電力變換裝置)的分案申請，以下引用其內容。

技術領域

本發明涉及半導體裝置以及電力變換裝置。

背景技術

在專利文獻1中公開了具備熱敏電阻的功率模塊。熱敏電阻對在構成于電力變換裝置內的流路流過的冷卻冷媒的溫度進行檢測。

專利文獻1：日本特開2016-103901號公報

在使用熱敏電阻對芯片溫度進行檢測的情況下，根據芯片的周圍溫度而推定功率器件芯片的溫度。即，在使用熱敏電阻的情況下，通常無法對芯片自身的溫度進行檢測。另外，作為芯片溫度的另外的檢測方法，想到例如由溫度感測二極管實現的方法。但是，就該方法而言，需要向芯片附加溫度感測二極管，內置于芯片的部件數量增加。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到能夠在抑制半導體芯片的部件數量的同時檢測半導體芯片自身的溫度的半導體裝置以及電力變換裝置。

本發明涉及的半導體裝置具備：半導體芯片，其電阻值與溫度相對應地變化；外部電阻，其與該半導體芯片串聯連接；以及檢測部，其在向由該半導體芯片和該外部電阻形成的串聯電路的兩端施加了第1電壓的狀態下，對施加至該外部電阻的兩端的第2電壓進行檢測，該檢測部根據該第2電壓對該半導體芯片的溫度進行計算。

發明的效果

就本發明涉及的半導體裝置而言，通過對施加至外部電阻的第2電壓進行檢測，從而能夠檢測半導體芯片的電阻值。因此，能夠根據電阻值與溫度之間的關系而計算半導體芯片的溫度。

附圖說明

圖1是對實施方式1涉及的電力變換裝置進行說明的圖。

圖2是對實施方式1涉及的半導體裝置進行說明的圖。

圖3是對實施方式2涉及的半導體芯片的電阻值的溫度變化進行說明的圖。

圖4是表示實施方式2涉及的半導體芯片的通斷開始時的電壓波形的圖。

圖5是對實施方式3涉及的半導體芯片的電阻值的溫度變化進行說明的圖。

圖6是對實施方式4涉及的外部裝置進行說明的圖。

標號的說明

100半導體裝置，101電力變換裝置，14半導體芯片，14a、14c內部電阻，21外部電阻，22、222檢測部

具體實施方式

參照附圖，對本發明的實施方式涉及的半導體裝置以及電力變換裝置進行說明。對相同或相應的結構要素標注相同的標號，有時省略重復說明。

實施方式1.

圖1是對實施方式1涉及的電力變換裝置101進行說明的圖。就電力變換裝置101而言，2個半導體芯片14串聯連接，形成了半橋電路。半導體芯片14例如是IGBT(Insulatedgate bipolar transistor)等功率器件芯片。