[發明專利]顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 202110034167.X | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN112802979A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 胡慶元;李勃;李素華;陳建都 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,具有孔區、隔斷區和顯示區,所述隔斷區圍繞至少部分所述孔區設置,所述隔斷區位于所述孔區和所述顯示區之間,其特征在于,所述顯示面板包括:
襯底;
顯示功能部,設置于所述顯示區的所述襯底一側,所述顯示功能部包括層疊設置的像素電路層和第一發光材料層;
隔斷組件,設置于所述隔斷區的所述襯底一側,所述隔斷組件包括隔斷墻、隔斷孔以及阻擋層,所述隔斷墻相互間隔且圍繞所述孔區呈環形分布,所述隔斷墻背離所述襯底的一側形成有第二發光材料層,所述隔斷孔位于相鄰兩個所述隔斷墻之間,相鄰兩個所述隔斷墻靠近所述襯底的一端之間的間距大于遠離所述襯底的另一端之間的間距,所述阻擋層形成于所述襯底上,且所述隔斷孔在所述襯底上的正投影位于所述阻擋層在所述襯底上的正投影內,所述隔斷孔所暴露的所述阻擋層上形成有第三發光材料層;
其中,所述第二發光材料層和所述第三發光材料層相互不連續間斷分布。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述隔斷墻包括形成于所述襯底上的第一無機膜層以及形成于所述第一無機膜層背離所述襯底一側的第二無機膜層,相鄰所述第一無機膜層之間的間距大于相鄰所述第二無機膜層之間的間距。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一無機膜層的材質為氧化硅,所述第二無機膜層的材質為氮化硅。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述阻擋層為圍繞所述孔區設置的環狀;
優選的,所述阻擋層的材質為金屬。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述阻擋層與所述襯底之間還形成有電介質層和柵絕緣層,所述柵絕緣層和所述電介質層依次形成于所述襯底上。
6.一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板具有孔區、隔斷區和顯示區,所述隔斷區圍繞至少部分所述孔區設置,所述隔斷區位于所述孔區和所述顯示區之間,其特征在于,所述制備方法包括:
提供顯示母基板,包括襯底、在所述顯示區的所述襯底上設置的像素電路層、在所述隔斷區的所述襯底上設置的隔斷成型部,所述隔斷成型部包括相互間隔分布的多個阻擋層和覆蓋于所述多個阻擋層背向所述襯底一側的絕緣層;
在所述像素電路層和所述隔斷成型部背向所述襯底的一側形成圖案化的光阻層;
一次刻蝕,以形成位于所述隔斷區的且間隔分布的隔斷墻成型部和隔斷孔成型部,所述隔斷孔成型部在所述襯底上的正投影位于所述阻擋層在所述襯底上的正投影內;
二次刻蝕,以形成相互間隔且圍繞所述孔區呈環形分布的隔斷墻和位于相鄰所述隔斷墻之間的隔斷孔,相鄰兩個所述隔斷墻靠近所述襯底的一端之間的間距大于遠離所述襯底的另一端之間的間距。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,在所述支撐層背向所述襯底的一側形成圖案化的光阻層包括:將所述光阻層曝光以使所述光阻層形成與所述阻擋層一一對應的開口。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述絕緣層包括位于所述襯底上的第一無機膜層以及位于所述第一無機膜層背離所述襯底一側的第二無機膜層;
優選的,所述第一無機膜層的材質為氧化硅,所述第二無機膜層的材質為氮化硅。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述一次刻蝕包括采用干刻工藝將與開口對應的絕緣層去除以形成貫穿所述絕緣層的過孔,所述過孔在所述襯底上的正投影位于所述阻擋層在所述襯底上的正投影內,從而形成隔斷墻成型部和隔斷孔成型部;
所述二次刻蝕包括采用刻蝕藥液刻蝕所述隔斷墻成型部朝向所述隔斷孔成型部的一側,所述刻蝕藥液對所述第一無機膜的刻蝕量大于所述刻蝕藥液對所述第二無機膜的刻蝕量。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述刻蝕藥液為緩沖氧化物刻蝕藥液,所述緩沖氧化物刻蝕藥液中包括氫氟酸和水,所述氫氟酸的含量為49%;或者,緩沖氧化物刻蝕藥液中包括氟化銨和水。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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