[發(fā)明專利]流體組裝的微米級(jí)器件模組及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110034154.2 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112786767B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周玉剛;賈先韜;許朝軍;張榮 | 申請(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L33/62 | 分類號(hào): | H01L33/62;H01L33/36;H01L25/075 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 210000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流體 組裝 微米 器件 模組 及其 制造 方法 | ||
1.一種流體組裝的微米級(jí)器件模組,包括支撐基板,其特征在于,還包括微米級(jí)器件,所述微米級(jí)器件包括與中介基板固定連接的微米級(jí)功能芯片,所述微米級(jí)功能芯片包括外延結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極,所述第一電極、第二電極分別設(shè)置在所述外延結(jié)構(gòu)的相背對(duì)的兩側(cè),其中,所述第一電極還與中介基板上的導(dǎo)電層電連接;
所述支撐基板上設(shè)置有一個(gè)以上安裝槽和電路布線層,所述電路布線層包括第一電路布線層和第二電路布線層,每一安裝槽至少容納有相應(yīng)一個(gè)微米級(jí)功能芯片的外延結(jié)構(gòu),且該相應(yīng)一個(gè)微米級(jí)功能芯片的第二電極與所述第一電路布線層電連接,所述第二電路布線層與所述中介基板上的導(dǎo)電層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述支撐基板包括支撐基板主體,所述支撐基板主體上設(shè)置有所述的安裝槽,同時(shí)所述支撐基板主體上設(shè)置有所述電路布線層,其中,所述安裝槽的槽底面及部分槽壁被第一電路布線層連續(xù)覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:每一微米級(jí)功能芯片被整體收容于相應(yīng)的一個(gè)安裝槽內(nèi),所述中介基板設(shè)置在所述的一個(gè)以上安裝槽外部,其中,所述第一電路布線層連續(xù)覆設(shè)在所述安裝槽的槽底面和側(cè)壁,所述第二電路布線層設(shè)置在所述安裝槽外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述微米級(jí)器件整體被收容于相應(yīng)的一個(gè)安裝槽內(nèi),每一所述安裝槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽設(shè)置在所述第二凹槽的槽底面,每一微米級(jí)功能芯片被整體收容于相應(yīng)的第一凹槽內(nèi),每一中介基板被整體收容于相應(yīng)的第二凹槽內(nèi),其中,所述第一電路布線層連續(xù)覆設(shè)在所述第一凹槽的槽底面和側(cè)壁,所述第二電路布線層覆設(shè)在所述第二凹槽的槽底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于包括多個(gè)微米級(jí)器件,所述支撐基板上設(shè)置有多個(gè)安裝槽,所述多個(gè)安裝槽與所述多個(gè)微米級(jí)器件相匹配,每一安裝槽至少容納有相應(yīng)一個(gè)微米級(jí)功能芯片的外延結(jié)構(gòu),且該相應(yīng)一個(gè)微米級(jí)功能芯片的第二電極與所述第一電路布線層電連接,所述第二電路布線層與所述中介基板上的導(dǎo)電層電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述多個(gè)安裝槽的尺寸相同或不同,所述多個(gè)微米級(jí)器件為相同類型或不同類型的器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述多個(gè)微米級(jí)器件包括N種類型的微米級(jí)器件,所述多個(gè)安裝槽具有N種尺寸,其中,第n種類型的微米級(jí)器件與具有第n種尺寸的安裝槽相對(duì)應(yīng),N≥2,1≤n≤N。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:第n種類型的微米級(jí)器件包括第n種類型的微米級(jí)功能芯片和第n種類型的中介基板,所述具有第n種尺寸的安裝槽的第二凹槽的直徑大于第n種類型的中介基板的直徑而小于第n+1種類型的中介基板的直徑,所述具有第n種尺寸的安裝槽的第一凹槽的直徑大于第n種類型的微米級(jí)功能芯片的直徑而小于第n-1種類型的微米級(jí)功能芯片的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述多個(gè)安裝槽呈陣列分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述多個(gè)安裝槽的多個(gè)凹槽中心在兩個(gè)呈角度設(shè)置的方向上對(duì)齊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述多個(gè)安裝槽的多個(gè)凹槽中心在兩個(gè)相互垂直的方向上對(duì)齊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述流體組裝的微米級(jí)器件模組,其特征在于:所述中介基板包括中介基板主體和導(dǎo)電層,以及,所述導(dǎo)電層上還電性結(jié)合有焊接層,所述焊接層與所述第一電極電性連接,所述導(dǎo)電層與所述第二電路布線層電性連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京大學(xué),未經(jīng)南京大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110034154.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





