[發明專利]一種聚噻吩基納米復合導電材料在審
| 申請號： | 202110033918.6 | 申請日： | 2021-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN112599284A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 邱輝 | 申請（專利權）人： | 上海赤龍科技有限公司 |
| 主分類號： | H01B1/20 | 分類號： | H01B1/20;H01B1/24;H01B1/14;H01B1/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201100 上海市閔行區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 噻吩 納米 復合 導電 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種聚噻吩基納米復合導電材料，其特征在于該聚噻吩基納米復合導電材料由聚噻吩、導電石墨烯、鎢鉬混合價氧化物固溶體和偶聯劑組成，各組份的重量百分比為：
聚噻吩 40 ~50 導電石墨烯 40 ~50 鎢鉬混合價氧化物固溶體 8~18 偶聯劑 2 以上各組份重量之和等于100；
本發明的制備方法是按上述配比的各組分用加入到分散機中充分攪拌均勻，得到成品導電材料。
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