[發(fā)明專利]封裝后的內(nèi)存修復(fù)方法及裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110033504.3 | 申請日: | 2021-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN112667445B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 瞿振林;張文喜 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/14 | 分類號: | G06F11/14 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 內(nèi)存 修復(fù) 方法 裝置 存儲(chǔ) 介質(zhì) 電子設(shè)備 | ||
1.一種封裝后的內(nèi)存修復(fù)方法,其特征在于,所述方法包括:
在內(nèi)存測試過程中,將所述內(nèi)存的失效信息寫入到SPD中,所述失效信息包括失效地址;
在設(shè)備開機(jī)后,從所述SPD中讀取所述失效地址,并確定所述失效地址所在的失效線路的數(shù)量;
在所述失效線路的數(shù)量小于或等于冗余線路的數(shù)量時(shí),使用所述冗余線路對所述失效線路進(jìn)行修復(fù);
在所述失效線路的數(shù)量大于所述冗余線路的數(shù)量時(shí),將所述失效信息加載到寄存器中;
當(dāng)所述失效線路存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中的時(shí)候,使用hPPR命令進(jìn)行修復(fù);當(dāng)所述失效線路存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中的時(shí)候,使用sPPR命令進(jìn)行修復(fù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,將所述內(nèi)存的失效信息寫入到內(nèi)存中包括:
將所述失效信息寫入到EEPROM的所述SPD中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,確定所述失效地址所在的失效線路的數(shù)量包括:
確定同一個(gè)存儲(chǔ)體組中所述失效地址所在的所述失效線路的數(shù)量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述冗余線路的數(shù)量是同一個(gè)所述存儲(chǔ)體組中的冗余線路的數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在對所述內(nèi)存進(jìn)行讀寫訪問過程中,如果訪問到所述失效地址,則直接從所述寄存器中讀寫所述失效地址對應(yīng)的信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在內(nèi)存測試過程中,將所述內(nèi)存的失效信息寫入到內(nèi)存中包括:
在所述內(nèi)存測試過程中,將所述失效信息寫入到所述內(nèi)存的用戶自定義字節(jié)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法,其特征在于,所述失效信息還包括失效位置、失效顆粒的Rank、Bank/Bank Group、行地址和列地址;
將所述失效信息寫入到所述內(nèi)存的用戶自定義字節(jié)中包括:
將所述失效信息順序?qū)懭氲剿鲇脩糇远x字節(jié)中。
8.一種封裝后的內(nèi)存修復(fù)裝置,其特征在于,所述裝置包括:
寫入模塊,用于在內(nèi)存測試過程中,將所述內(nèi)存的失效信息寫入到SPD中,所述失效信息包括失效地址;
讀取模塊,用于在設(shè)備開機(jī)后,從所述SPD中讀取所述失效地址,并確定所述失效地址所在的失效線路的數(shù)量;
第一修復(fù)模塊,用于在所述失效線路的數(shù)量小于或等于冗余線路的數(shù)量時(shí),使用所述冗余線路對所述失效線路進(jìn)行修復(fù);
第二修復(fù)模塊,用于在所述失效線路的數(shù)量大于所述冗余線路的數(shù)量時(shí),將所述失效信息加載到寄存器中;
所述第一修復(fù)模塊,用于當(dāng)所述失效線路存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中的時(shí)候,使用hPPR命令進(jìn)行修復(fù);當(dāng)所述失效線路存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中的時(shí)候,使用sPPR命令進(jìn)行修復(fù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,將所述內(nèi)存的失效信息寫入到內(nèi)存中包括:
將所述失效信息寫入到EEPROM的所述SPD中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,確定所述失效地址所在的失效線路的數(shù)量包括:
確定同一個(gè)存儲(chǔ)體組中所述失效地址所在的所述失效線路的數(shù)量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其特征在于,所述冗余線路的數(shù)量是同一個(gè)所述存儲(chǔ)體組中的冗余線路的數(shù)量。
12.根據(jù)權(quán)利要求8-11任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括:
讀寫模塊,用于在對所述內(nèi)存進(jìn)行讀寫訪問過程中,如果訪問到所述失效地址,則直接從所述寄存器中讀寫所述失效地址對應(yīng)的信息。
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