[發明專利]電荷泵電路、非易失性存儲器在審
| 申請號: | 202110031981.6 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN114765415A | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 張現聚;劉銘;鄧龍利 | 申請(專利權)人: | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/07 | 分類號: | H02M3/07;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;張靖琳 |
| 地址: | 100083 北京市海淀區學院*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電荷 電路 非易失性存儲器 | ||
1.一種電荷泵電路,其特征在于,包括串聯的多個升壓級電荷泵單元,所述升壓級電荷泵單元包括:
輸入端和輸出端(Nt);
第一電容(Cc);
第二電容(Ct),所述第二電容(Ct)的第一端連接輸出端(Nt);
第一開關管(Pt),所述第一開關管(Pt)的控制端連接所述第一電容(Cc)的第一端,第一通路端連接所述輸入端,第二通路端連接所述輸出端(Nt);
第一單向導通元件(Pa),設置在所述第一開關管(Pt)的控制端和所述輸出端(Nt)之間;
第三電容(Cp);以及
第三開關管(Pb),所述第三開關管(Pb)的控制端連接所述輸入端,第一通路端連接所述第一電容(Cc)的第一端,第二通路端連接所述第三電容(Cp)的第一端;
在電荷存儲階段,所述第一開關管(Pt)導通,所述第三開關管(Pb)斷開,所述第二電容(Ct)被充電;在電荷釋放階段,所述第一開關管(Pt)斷開,所述第二電容(Ct)向下一級電荷泵提供電荷,所述第一開關管(Pt)控制端的電荷經由所述第三開關管(Pb)向所述第三電容(Cp)轉移。
2.根據權利要求1所述的電荷泵電路,其特征在于,所述第三電容(Cp)的第二端接收低電平。
3.根據權利要求1所述的電荷泵電路,其特征在于,所述升壓級電荷泵單元還包括第二單向導通元件(Pc),在所述電荷存儲階段,所述第三電容(Cp)的電荷經由所述第二單向導通元件(Pc)向所述輸出端(Nt)轉移。
4.根據權利要求3所述的電荷泵電路,其特征在于,在奇數級的升壓級電荷泵單元,所述第一電容(Cc)的第二端和所述第二電容(Ct)的第二端接收第一時鐘信號(CLK),所述第三電容(Cp)的第二端接收具有與所述第一時鐘信號相反相位的第二時鐘信號(CLKB),
在偶數級的升壓級電荷泵單元,所述第一電容(Cc)的第二端和所述第二電容(Ct)的第二端接收所述第二時鐘信號(CLKB),所述第三電容(Cp)的第二端接收所述第一時鐘信號(CLK)。
5.根據權利要求1所述的電荷泵電路,其特征在于,還包括:
第五開關管(P0),其控制端接收使能信號,其第一通路端接收供電電壓,其第二通路端連接所述第一升壓級電荷泵單元的輸入端。
6.根據權利要求2所述的電荷泵電路,其特征在于,所述第一開關管(Pt)和所述第三開關管(Pb)為P型MOS管。
7.根據權利要求6所述的電荷泵電路,其特征在于,所述第一單向導通元件(Pa)和所述第二單向導通元件(Pc)為二極管連接設置的P型MOS管,第一單向導通元件(Pa)的控制端和漏端連接所述第一開關管(Pt)的控制端,第二單向導通元件(Pc)的控制端和漏端連接所述輸出端(Nt)。
8.根據權利要求6所述的電荷泵電路,其特征在于,所述第一單向導通元件(Pa)和所述第二單向導通元件(Pc)為二極管。
9.根據權利要求1所述的電荷泵電路,其特征在于,還包括輸出級電荷泵單元,所述輸出級電荷泵單元包括:
輸入端,連接最后一級升壓級電荷泵單元的輸出端;
輸出端;
第一電容(Cc),所述第一電容(Cc)的第二端接收所述第一時鐘信號;
第一開關管(Pt),所述第一開關管(Pt)的控制端連接所述第一電容(Cc)的第一端,第一通路端連接所述輸入端,第二通路端連接所述輸出端;
第一單向導通元件(Pa),設置在所述第一開關管(Pt)的控制端和所述輸出端之間;
第三電容(Cp);
第三開關管(Pb),所述第三開關管(Pb)的控制端連接所述輸入端,第一通路端連接所述第一電容(Cc)的第一端,第二通路端連接所述第三電容(Cp)的第一端;以及
第二單向導通元件(Pc),設置在所述第三電容(Cp)的第一端和所述輸出端之間。
10.一種非易失性存儲器,其特征在于,包括權利要求1-9任一項所述的電荷泵電路。
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