[發明專利]一種微環耦合多通道集成光電探測器

有效

• 申請號: 202110031520.9
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112786717B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 李沖;楊帥;李巍澤;李占杰;張琛輝;徐港
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/09;H01L27/144
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 林聰源

1.一種微環耦合多通道集成光電探測器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底從上至下依次包括頂部本征層、埋氧層以及底部本征層；

所述襯底的頂層上刻蝕形成一多模波導以及位于所述多模波導兩側的多個微環結構；

所述微環結構表面中摻雜并沉積第一電極層，形成歐姆接觸；

所述第一電極層上生長有光吸收層，所述光吸收層表面中摻雜并沉積第二電極層；

其中，在所述第一電極層上引出第一電極，在所述第二電極層引出第二電極，所述第二電極和所述第一電極之間形成電勢差，實現光電轉換；

所述多模波導包括所述頂部本征層、位于所述本征層上的介質膜以及覆蓋所述介質膜的覆蓋膜，所述頂部本征層的折射率為n0，所述介質膜的折射率為n1， n0n1；

多個所述微環結構到所述多模波導的距離不同，使得所述光吸收層可吸收不同波長的光；

不同的所述微環結構上生長有不同的所述光吸收層，使得不同的所述光吸收層可同時探測不同波長的光。

2.如權利要求1所述的一種微環耦合多通道集成光電探測器，其特征在于，所述頂部本征層的材料包括Si、Ge、InP、GaAs、SiC、GaN、GaP、InAs、GaSb或InSb。

3.如權利要求1所述的一種微環耦合多通道集成光電探測器，其特征在于，所述光吸收層的材料包括石墨烯、Ge、InGaAs、AlGaAs、GaAs、GaN、InAlAs、GaAsSb、GaInAsSb、GaInAsP、GaInP、SiGe或GaInSb。