[發明專利]飽水層的基坑施工方法

有效

• 申請號: 202110031340.0
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112854231B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 王建偉;劉沛佐;李成剛;張志威;于長龍;孟凡松;李歡
• 申請（專利權）人: 中國建筑第八工程局有限公司
• 主分類號: E02D17/02
• 分類號: E02D17/02;E02D17/04;E02D19/10
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 宋小光

本發明涉及一種飽水層的基坑施工方法，該基坑位于地下結構的底板下方，該施工方法包括如下步驟：S11.在待施工基坑的區域周圍施工形成支護結構，且該支護結構的頂部與位于待施工的基坑的頂部標高處；S12.開挖支護結構圍合的區域內的土體至設定標高處，并沿支護結構的側部澆筑形成護壁，從而于護壁圍合的區域內形成基坑；S13.于基坑的底部施工形成降水井，以收集基坑內的積水并向外排出。本發明有效地解決了飽水層中施工基坑困難的問題，不僅能夠保證基坑的穩定性，還能防止基坑中出現大量積水，保證了施工安全，提高了施工效率，保證了施工質量。

技術領域

本發明涉及建筑施工領域，特指一種飽水層的基坑施工方法。

背景技術

隨著社會發展，越來越多的建筑建造在靠近河道的位置，但臨近河道位置的土質多為粉土、粉砂，這種飽水層中會存在大量殘留滯水，飽水率很高，在建筑施工的過程中，通常需要在建筑物的底板處形成一些局部深坑，如集水坑或電梯坑等，這些基坑的地面標高要遠低于底板的標高，在施工這些基坑時，由于飽水層含水量高且土體松軟，導致基坑開挖異常困難，在飽水層中不僅難以保證基坑的穩定性，還容易出現大量積水的問題，施工質量和施工進度難以保證。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種飽水層的基坑施工方法，解決了飽水層中施工基坑困難的問題，不僅能夠保證基坑的穩定性，還能防止基坑中出現大量積水，保證了施工安全，提高了施工效率，保證了施工質量。

實現上述目的的技術方案是：

本發明提供了一種飽水層的基坑施工方法，包括如下步驟：

S11.在待施工基坑的區域周圍施工形成支護結構，且該支護結構的頂部位于待施工的基坑的頂部標高處；

S12.開挖支護結構圍合的區域內的土體至設定標高處，并沿支護結構的側部澆筑形成護壁，從而于護壁圍合的區域內形成基坑；

S13.于基坑的底部施工形成降水井，以收集基坑內的積水并向外排出。

本發明采用飽水層的基坑施工方法，通過沿支護結構的側部澆筑形成護壁，以對基坑起到支撐的作用，從而保證基坑整體的穩定性，防止基坑變形，另外在基坑的底部施工形成降水井，基坑中的積水匯聚至降水井中，進而可通過排水管等裝置排入城市排水系統或其他排水系統中，從而防止基坑中大量積水，有效地解決了飽水層中施工基坑困難的問題，不僅能夠保證基坑的穩定性，還能防止基坑中出現大量積水，保證了施工安全，提高了施工效率，保證了施工質量。

本發明飽水層的基坑施工方法的進一步改進在于，開挖土體時，還包括：

S121.將支護結構圍合的區域由上至下劃分為若干區，且該若干區的橫截面積由上至下依次減小；

S122.開挖N區的土體以形成N區空間，并沿N區空間的側壁澆筑形成N區護壁，其中N為1；

S123.于待開挖的N+1區的周圍施工形成N+1支護結構，且N+1支護結構的頂部與N區空間的底面平齊；

S124.開挖N+1區的土體以形成N+1區空間，并沿N+1區空間的側壁澆筑形成N+1區護壁；

接著令N＝N+1并執行步驟S123～S124，重復步驟S123～S124直至形成基坑。

本發明飽水層的基坑施工方法的進一步改進在于，開挖最底層的區域時，還包括：

向下超挖設定深度以形成超挖區，于超挖區內支設降水井模板，進而于降水井模板的外側澆筑混凝土以填充超挖區，并形成降水井。

本發明飽水層的基坑施工方法的進一步改進在于，該超挖區的中部向下凹陷呈碗狀。

本發明飽水層的基坑施工方法的進一步改進在于，還包括：