[發明專利]一種超薄一維有機單晶陣列薄膜及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202110030859.7 | 申請日： | 2021-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN112786785B | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 張鈺;吳雨辰;江雷 | 申請（專利權）人： | 季華實驗室 |
| 主分類號： | H01L51/40 | 分類號： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528200 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 超薄 有機 陣列 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種超薄一維有機單晶陣列薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在基底上滴加第一有機半導體溶液；
（2）取表面刻蝕有硅柱的另一氧化硅片，將刻蝕有硅柱的一面覆蓋在第一有機半導體溶液之上，在50-120℃下加熱；
（3）在氧化硅片的邊緣滴加第二有機半導體溶液，第二有機半導體溶液覆蓋基底，在50-120℃下加熱；
第一有機半導體溶液的溶質為有機半導體，溶劑為有機揮發性溶劑；第二有機半導體溶液的溶質和溶劑與第一有機半導體溶液相同；
所述有機半導體為TIPS-pentacene、C10-BTBT或C6-DPA；
第一有機半導體溶液的濃度范圍是1~5 mg/mL；第二有機半導體溶液的濃度范圍是0.1~0.3 mg/mL；
所述超薄一維有機單晶陣列薄膜的厚度為1.6～20 nm。
2.根據權利要求1所述的超薄一維有機單晶陣列薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機揮發性溶劑為甲苯、氯苯或鄰二氯苯。
3.根據權利要求1所述的超薄一維有機單晶陣列薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中加熱的時間為6-7小時，步驟（3）中加熱的時間為6-7小時。
4.一種超薄一維有機單晶陣列薄膜，其特征在于，采用如權利要求1~3任一所述的超薄一維有機單晶陣列薄膜的制備方法制備得到。
5.一種如權利要求4所述的超薄一維有機單晶陣列薄膜的應用，其特征在于，將所述超薄一維有機單晶陣列薄膜用于制備場效應晶體管器件。
6.根據權利要求5所述的超薄一維有機單晶陣列薄膜的應用，其特征在于，所述場效應晶體管器件由下至上依次包括基底、所述超薄一維有機單晶陣列薄膜和Au電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
