[發明專利]一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法在審
| 申請號: | 202110030792.7 | 申請日: | 2021-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN112768345A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 邢飛;姬廣民;李宗文;吳田鴿;韓雪;田敬坤 | 申請(專利權)人: | 山東理工大學 |
| 主分類號: | H01L21/04 | 分類號: | H01L21/04;H01L21/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 255086 山東省淄*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 石墨 二維 異質結 制備 方法 | ||
1.本發明的一種基于石墨烯的二維異質結的機械轉移制備方法,其特征在于,首先將六方氮化硼單晶剝離到涂有熱氧化物的硅晶片上;石墨烯被單獨剝離到由水溶性層和聚甲基丙烯酸甲酯膜組成的聚合物壓板上;其次,在水溶性聚合物溶解之后,硅晶片襯底沉到浴槽的底部,極疏水的聚甲基丙烯酸甲酯分離漂浮在水面上;然后,利用顯微鏡操作將石墨烯精確地對準六方氮化硼,使兩者接觸;最后,將聚甲基丙烯酸甲酯膜溶解在有機溶劑丙酮中,然后在流動的H2/Ar氣體環境中對樣品進行退火操作。
2.如權利要求1所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,其制備石墨烯器件的介質材料緊密貼合在一起,沒有間隙干擾。
3.如權利要求2所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,硅晶片基底平整均勻,且厚度為285nm。
4.如權利要求1所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,使用機械剝離法制備六方氮化硼單晶。
5.如權利要求1所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,在轉移過程中,目標基板被加熱到110℃,以努力趕走吸附在石墨烯或六方氮化硼薄片表面的任何水,并促進聚甲基丙烯酸甲酯對目標基板的良好附著力。
6.如權利要求1所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,一旦轉移,聚甲基丙烯酸甲酯就溶解在有機溶劑丙酮中。
7.如權利要求1所述一種基于石墨烯的二維異質結的制備方法,其特征在于,所有的樣品在流動的H2/Ar氣體環境中340℃下退火3.5小時,以去除殘留的抗蝕劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





