[發明專利]N-GQDs/AgPt中空樹突結構納米復合材料及其制備與應用

有效

• 申請號: 202110030676.5
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112599788B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 張東霞;邵濤;張乾坤;李金靈;赫世杰;周喜斌
• 申請（專利權）人: 西北師范大學
• 主分類號: H01M4/86
• 分類號: H01M4/86;H01M4/92;H01M8/1011;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 蘭州智和專利代理事務所(普通合伙) 62201
• 代理人: 張英荷

1.一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料，其特征在于：以附著在Ag表面的氮摻雜石墨烯量子點N-GQDs為載體，光照處理后通過置換反應使AgPt合金分別附著于N-GQDs內外兩側，形成中空樹突結構。

2.如權利要求1所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，包括以下步驟：

（1）Ag/N-GQDs的制備：將氮摻雜的石墨烯量子點、硝酸銀加入去離子水中攪拌混合均勻，在80℃~100℃下反應20~40min，冷卻至室溫，離心，得到Ag/N-GQDs納米顆粒；

（2）Ag/N-GQDs的光照處理：將Ag/N-GQDs納米顆粒陳化10~12h后，利用高壓鈉燈照射1~3h，得到光照處理后的Ag/N-GQDs納米顆粒；

（3）N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備：將光照處理后的Ag/N-GQDs納米顆粒加入去離子水中，依次加入還原劑抗壞血酸和氯鉑酸，室溫下反應40~60min；反應產物用乙醇和水離心洗滌去除殘留物，得到目標產物N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料。

3.如權利要求2所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，氮摻雜的石墨烯量子點與硝酸銀的質量比為0.7:1~0.8:1。

4.如權利要求2所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，硝酸銀與氯鉑酸摩爾比為0.6:1~1.2:1。

5.如權利要求2所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，氯鉑酸與還原劑抗壞血酸的摩爾比為0.06:1~0.08:1。

6.如權利要求2所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，氯鉑酸的濃度為15~20mM。

7.如權利要求2所述的一種N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，離心洗滌是以10000~13000轉/分的離心速度離心10~20min。

8.如權利要求1所述的N-GQDs/AgPt中空樹突納米復合材料作為催化劑在甲醇氧化反應中的應用。