[發明專利]三維存儲器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110030508.6
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112885835A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 喬思;曾凡清;張磊;湯召輝;王勝
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11582
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種三維存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底上依次形成堆疊層和多晶硅層；

在所述多晶硅層背向所述堆疊層的一側刻蝕以形成第一開口；

自所述第一開口刻蝕，使所述第一開口延伸至所述堆疊層內，以形成溝道孔。

2.如權利要求1所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層背向所述堆疊層的一側刻蝕以形成第一開口，包括：

在所述多晶硅層背向所述堆疊層的一側形成無定形碳層，在所述無定形碳層背向所述多晶硅層的一側刻蝕以形成第二開口；

自所述第二開口刻蝕，使所述第二開口延伸至所述多晶硅層內，以形成所述第一開口。

3.如權利要求2所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述自所述第二開口刻蝕，使所述第二開口延伸至所述多晶硅層內，以形成所述第一開口，包括：

采用溴化氫和/或氯氣在所述第二開口刻蝕以形成所述第一開口。

4.如權利要求2所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述自所述第二開口刻蝕，使所述第二開口延伸至所述多晶硅層內，以形成所述第一開口，包括：

在所述無定形碳層背向所述多晶硅層的一側形成光刻層，在所述光刻層背向所述無定形碳層的一側進行光刻以形成第三開口；

自所述第三開口刻蝕，使所述第三開口延伸至所述無定形碳層內，以形成所述第二開口。

5.如權利要求4所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述自所述第三開口刻蝕，使所述第三開口延伸至所述無定形碳層內，以形成所述第二開口，包括：

采用氟化硫在所述第三開口刻蝕以形成所述第二開口。

6.如權利要求1所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述溝道孔貫穿所述堆疊層并延伸至所述襯底內。

7.如權利要求4所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述光刻層包括層疊的光刻介質和抗反射膜，所述抗反射膜設于所述光刻介質和所述無定形碳層之間，所述在所述無定形碳層背向所述多晶硅層的一側形成光刻層，在所述光刻層背向所述無定形碳層的一側進行光刻以形成第三開口，包括：

在所述光刻介質背向所述抗反射膜的表面進行光刻，以形成所述第三開口。

8.如權利要求7所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，自所述第三開口刻蝕，使所述第三開口延伸至所述無定形碳層內，以形成所述第二開口，包括：

在所述第三開口刻蝕，以使所述第三開口依次貫穿所述光刻介質、所述抗反射膜和部分所述無定形碳層，以形成所述第二開口。

9.如權利要求2所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述自所述第一開口刻蝕，使所述第一開口延伸至所述堆疊層內，以形成溝道孔之前，包括：

清除殘余的所述無定形碳層。

10.如權利要求2所述的三維存儲器件的制造方法，其特征在于，所述自所述第二開口刻蝕，使所述第二開口延伸至所述多晶硅層內，以形成所述第一開口，包括：

調節所述無定形碳層的厚度，以使所述第一開口形成后，所述無定形碳層消耗完全。