[發明專利]一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構有效
| 申請號： | 202110030092.8 | 申請日： | 2021-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN112856837B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 邱羽;張鵬飛;李慶 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | F24S70/225 | 分類號： | F24S70/225 |
| 代理公司： | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 張震國 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 太陽能 水氣 光譜 選擇性 結構 | ||
1.一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，包括底層支撐板(1)，所述底層支撐板(1)上形成有金屬薄膜(2)，所述金屬薄膜(2)上形成有電介質薄膜(3)，所述電介質薄膜(3)上形成有多個金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)按正方形排列構成的正方形陣列(8)，所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)的中心具有圓孔，所述正方形陣列(8)中任意相鄰的四個所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)圍成一個正方形(10)，每個所述正方形(10)的中心具有貫穿所述底層支撐板(1)、所述金屬薄膜(2)和所述電介質薄膜(3)的圓柱孔(5)，所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)繞自身中心軸旋轉90°、180°、270°或360°之后均能與自身重合。
2.根據權利要求1所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)的橫截面形狀為弧邊四角星形，且弧邊四角星形由四段形狀相同的圓弧圍成。
3.根據權利要求2所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述弧邊四角星形的外接圓的直徑為100nm～1000nm，所述弧邊四角星形的每個圓弧的角度小于等于90°，所述圓孔的直徑為20nm～500nm。
4.根據權利要求3所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，任意相鄰的兩個所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)的中心軸的間距大于等于所述弧邊四角星形的外接圓的直徑，且小于等于3000nm。
5.根據權利要求1所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述底層支撐板(1)的厚度為0.1mm～5mm。
6.根據權利要求1所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述金屬薄膜(2)的厚度大于200nm。
7.根據權利要求1所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述電介質薄膜(3)的厚度為5nm～200nm。
8.根據權利要求1所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述圓柱孔(5)的直徑為20nm～1000nm。
9.根據權利要求1至8任一項所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述底層支撐板(1)的材料為任意熔點大于473K的金屬或非金屬；所述金屬薄膜(2)和所述金屬納米弧邊四角星形棱柱(4)的材料為鎳、鈦、鎢或鉻；所述電介質薄膜(3)的材料為二氧化硅、氮化硅、硅、氧化鋁或二氧化鈦。
10.根據權利要求1至8任一項所述的一種用于太陽能水氣化的光譜選擇性吸光結構，其特征在于，所述底層支撐板(1)的底部設置有泡沫層(6)。
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