[發明專利]基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線

有效

• 申請號: 202110029270.5
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112886168B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 楊章飆;張建照;劉斌;柳永祥;喬曉強
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: H01P3/08
• 分類號: H01P3/08
• 代理公司: 江蘇瑞途律師事務所 32346
• 代理人: 韋超峰

1.基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，包括下層介質基板(1)和設置在所述下層介質基板(1)上的上層介質基板(2)；

下層介質基板(1)的下表面設置有第一金屬層(3)；

下層介質基板(1)的上表面設置有第二金屬層(4)，第二金屬層(4)的兩端分別連接有微帶結構(5)，所述微帶結構(5)包括一端與第二金屬層(4)連接的漸變過渡結構(6)以及與所述漸變過渡結構(6)的另一端連接的微帶線(7)；

所述第二金屬層(4)上開設有兩排沿X軸方向分布的金屬化通孔(8)，所述金屬化通孔(8)貫穿第二金屬層(4)、下層介質基板(1)和第一金屬層(3)；

所述第二金屬層(4)上開設有沿X軸方向延伸的第一凹槽(9)，所述第一凹槽(9)的兩側依次對稱設置有若干對連通的第二凹槽(10)、若干對連通的第三凹槽(12)和若干對連通的第四凹槽(11)，所述第一凹槽(9)、第二凹槽(10)、第三凹槽(12)和第四凹槽(11)均位于兩排金屬化通孔(8)之間，第一凹槽(9)的兩端設置有圓形凹槽(13)，所述圓形凹槽(13)與第一凹槽(9)連通；

上層介質基板(2)的上表面設置有兩個第一微帶(14)，所述第一微帶(14)的一端設置有金屬圓片(15)；

所述上層介質基板(2)比下層介質基板(1)寬w_g，當上層介質基板(2)與下層介質基板(1)安裝在一起后，上層介質基板(2)相對于下層介質基板(1)寬出的部分的下表面設置有第三金屬層(16)。

2.根據權利要求1所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述第一凹槽(9)、第二凹槽(10)、第三凹槽(12)、第四凹槽(11)和圓形凹槽(13)均貫穿第二金屬層(4)。

3.根據權利要求1所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述第三凹槽(12)沿Y軸方向延伸，若干對所述第三凹槽(12)的長度l_s相同。

4.根據權利要求2所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述第二凹槽(10)和第四凹槽(11)均沿Y軸方向延伸，其中，第二凹槽(10)的長度由0漸變到第三凹槽(12)的長度l_s；第四凹槽(11)的長度由第三凹槽(12)的長度l_s漸變到0。

5.根據權利要求1-4任一項所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述漸變過渡結構(6)為等腰梯形漸變過渡結構，等腰梯形漸變過渡結構的下底與第二金屬層(4)連接，上底與微帶線(7)連接。

6.根據權利要求5所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述圓形凹槽(13)的直徑d₁與第一凹槽(9)寬度g的關系為：d₁＝(2～3)g。

7.根據權利要求5所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，所述金屬圓片(15)的直徑d₂大于或等于2倍的第一微帶(14)的寬度w_p2。

8.根據權利要求5所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，上層介質基板(2)的厚度與下層介質基板(1)的厚度相同。

9.根據權利要求5所述的基于基片集成波導和人工表面等離激元的模分復用傳輸線，其特征在于，兩排所述金屬化通孔(8)的間距為a，金屬化通孔(8)的間距為a與第三凹槽(12)的長度l_s的關系為：l_s＝(0.05～0.45)a。