[發明專利]相控陣輻射陣列天線及用于該天線的校準網絡在審
| 申請號: | 202110028195.0 | 申請日: | 2021-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN112821966A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 張偉;張天齡;武向文;楊彥炯 | 申請(專利權)人: | 中航富士達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H04B17/21 | 分類號: | H04B17/21;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 萬文會 |
| 地址: | 710000 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相控陣 輻射 陣列 天線 用于 校準 網絡 | ||
1.一種用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡,其特征在于:包括PCB板(1)和設置于所述PCB板(1)上的多組校準耦合窗口(15),所述PCB板(1)上設置有總口(12)、多組介質波導通道和多個負載接口(13),所述介質波導通道連通所述總口(12)、校準耦合窗口(15)和所述負載接口(13),所述校準耦合窗口(15)用于耦合所述陣子單元(21)采集的部分信息,并通過介質波導通孔傳遞至所述總口(12)。
2.根據權利要求1所述的用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡,其特征在于:每組所述校準耦合窗口(15)內多個校準耦合窗口(15)通過一組介質波導通道串聯,多組介質波導通道之間并聯后連接所述總口(12),每組所述校準耦合窗口(15)通過介質波導通道串聯一個所述負載接口(13)。
3.根據權利要求1所述的用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡,其特征在于:所述PCB板(1)包括兩層金屬層和設于兩層金屬層之間的介質基片,所述PCB板(1)上設置有多對用于形成介質集成波導的金屬化通孔(14)。
4.根據權利要求1所述的用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡,其特征在于:還包括設于所述PCB板(1)上的多組陣子單元讓位孔(11),所述陣子單元讓位孔(11)用于避讓陣子單元(21)。
5.根據權利要求1所述的用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡,其特征在于:所述校準網絡采用基片集成波導方式制成。
6.一種相控陣輻射陣列天線,其特征在于:包括權利要求1-5任一所述的用于相控陣輻射陣列天線的低剖面校準網絡。
7.根據權利要求6所述的相控陣輻射陣列天線,其特征在于:所述校準網絡設于所述陣列天線內,所述校準網絡與所述陣列天線陣面貼合至一起。
8.根據權利要求6所述的相控陣輻射陣列天線,其特征在于:還包括天線主體(2)、壓板(3)和多個陣子單元(21),所述校準網絡設于所述天線主體(2)與所述壓板(3)之間,所述陣子單元(21)通過校準耦合窗口(15)與所述校準網絡電性連接。
9.根據權利要求8所述的相控陣輻射陣列天線,其特征在于:所述天線主體(2)置有多個諧振腔(22),所述諧振腔(22)底部設置有耦合窗(23),所述陣子單元(21)置于所述諧振腔(22)內,所述耦合窗(23)與所述校準耦合窗口(15)一一對應設置。
10.根據權利要求8所述的相控陣輻射陣列天線,其特征在于:所述壓板(3)上對應所述陣子單元(21)設置有多個射頻饋電口(31),所述陣子單元(21)貫穿所述天線主體(2)和陣子單元讓位孔(11),并于所述壓板(3)內與所述射頻饋電口(31)連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中航富士達科技股份有限公司,未經中航富士達科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110028195.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:在高溫超導材料中均勻地摻雜納米顆粒的方法
- 下一篇:一種沙障結構及其組件





