[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110027707.1 | 申請日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN112881882B | 公開（公告）日： | 2023-02-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃寓洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州蘇納光電有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 芯片 寄生 電容 測試 方法 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：所述方法包括：
S100，測試芯片的總電容；
S200，測試芯片內(nèi)部的Pad寄生電容；
S300，測試芯片的有源區(qū)電容；
S400，根據(jù)所述總電容、Pad寄生電容和有源區(qū)電容，計算芯片的爬坡寄生電容；
其中，所述爬坡寄生電容=總電容-Pad寄生電容-有源區(qū)電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：步驟S100~S300中，均采用半導(dǎo)體測試儀分別測得所述總電容、Pad寄生電容和有源區(qū)電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：將所述測試儀直接與芯片的電極相連接進行測試。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：所述100中，首先進行芯片制備，制備完成后，再測試芯片的總電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：所述200中，首先進行Pad制備，制備完成后，再測試芯片的Pad寄生電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體芯片為探測器芯片，所述探測器芯片為銦鎵砷探測器。
7.一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試裝置，其特征在于：所述裝置包括：
總電容測試單元，用于測試芯片的總電容；
Pad寄生電容測試單元，用于測試芯片內(nèi)部的Pad寄生電容；
有源區(qū)電容測試單元，用于測試芯片的有源區(qū)電容；
爬坡寄生電容計算單元，與所述總電容測試單元、Pad寄生電容測試單元和有源區(qū)電容測試單元均相連，用于根據(jù)所述總電容、Pad寄生電容和有源區(qū)電容，計算芯片的爬坡寄生電容；
其中，所述爬坡寄生電容=總電容-Pad寄生電容-有源區(qū)電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試裝置，其特征在于：所述總電容測試單元、Pad寄生電容測試單元和有源區(qū)電容測試單元均為半導(dǎo)體測試儀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種半導(dǎo)體芯片寄生電容的測試裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試儀與芯片的相應(yīng)電極相連接分別進行總電容、Pad寄生電容和有源區(qū)電容的測試。
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