[發明專利]一種用于晶圓測試的晶粒加權補償計算方法

有效

• 申請號: 202110025085.9
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112858878B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 魏津;張經祥;杜宇
• 申請（專利權）人: 勝達克半導體科技（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海專益專利代理事務所(特殊普通合伙) 31381
• 代理人: 方燕娜;王雯婷

1.一種用于晶圓測試的晶粒加權補償計算方法，其特征在于：具體流程如下：

S1：通過傳統的PMU初測方法，找出晶圓上有代表性的某個晶粒的補償值；

S2：找出補償值后，使用“過-不過”測試方法對剩下的晶粒做快速測試；

S3：如果S2中的“過-不過”測試方法的結果使得大部分晶粒不通過，則回到S1初測方法，重新修正加權系數和補償值；如果S2中的“過-不過”測試方法的結果使得大部分晶粒通過，則確定該加權系數和補償值；

S4：對于S3中的剩下小部分不通過的晶粒，采用傳統的PMU初測方法來進行測試；

所述的PMU初測方法的具體流程如下：

S11：設補償參數為x，電壓輸出為f(x)，兩者線性函數為 f(x) = kx + z；另設預期電壓為y；

S12：依據被測芯片晶粒規格，初步估計出補償對應的電壓范圍，設x范圍為[a,b]，c為a,b的中點；通過PMU讀出補償參數a,b對應的晶粒樣品電壓輸出f(a),f(b)，第一步取值需要保證(f(a) – y ) * (f(b) – y) 0；

S13：c = (a+b)/2，根據PMU測試c點的電壓輸出為f(c)，如果f(c) – y 0 則取a =c，如果f(c) – y 0，則取 b = c；

S14：設定誤差預期δ，重復流程S13的步驟，當|f(c) – y| δ，則c值為尋找的補償值；

所述的“過-不過”測試方法的具體流程如下：

S21：依據被測芯片規格手冊的規定，分別設定電壓上限為“期望值+Er”，設定下限為“期望值-Er”，其中Er為被測芯片規格手冊中的誤差范圍值；

S22：對被測芯片進行“過-不過”測試，若λ取值合理，則此步測試通過率應超過80%，如果這里通過率過低，則重新對λ取值從而得到新的f(c)；如果通過率超過80%或一個經驗值，則進入S23；

S23：對剩下未通過測試的被測芯片的晶粒進行二次篩選，通過對“期望值+Er”和“期望值-Er”的晶粒進行統計分析，得出經驗值f(c)的偏差，對c值進行增加或減少，再繼續回到S21中進行測試，如此迭代3次，對剩下確實無法通過的晶粒采用傳統PMU測試，通常最后剩下晶粒不會超過本晶圓總量的5%。

2.根據權利要求1所述的一種用于晶圓測試的晶粒加權補償計算方法，其特征在于：所述的δ的設定，需要依據被測芯片的設計規格中的誤差范圍Er和測試機精度Et以及芯片測試結果線性度λ來重新修正，修正公式為δ = (| Er| + |Et |) * λ，其中Er由查詢被測芯片手冊得知，Et由自動測試機性能決定，通常自動測試機可以達到0.5%，λ需要在測試進程中依據測試結果的反饋實際來決定，通常經驗值取10-15之間。

3.根據權利要求1所述的一種用于晶圓測試的晶粒加權補償計算方法，其特征在于：所述的大部分晶粒為大于50%的晶粒數量。