[發(fā)明專利]納米材料薄膜的制作方法及顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110024318.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112877740A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙金陽(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D5/02 | 分類號(hào): | C25D5/02;C25D9/04;C25D9/02;H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 材料 薄膜 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,包括:
提供相互絕緣的第一電極以及第二電極;
提供第一溶液,所述第一溶液包括具有第一電性的第一納米材料;
提供電源,所述電源的兩極分別與所述第一電極以及所述第二電極電連接以使所述第一電極具有所述第一電性,所述第二電極具有第二電性,使得所述第二電極上形成第一納米材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,在所述第二電極上形成第一納米材料層的步驟之后,還包括:
提供第二溶液,所述第二溶液包括具有所述第二電性的第二納米材料,使得所述第一電極上形成第二納米材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,在所述第二電極上形成第一納米材料層的步驟之后,還包括:
提供第三溶液,所述第三溶液包括具有所述第一電性的第三納米材料;
互換所述第一電極與所述第二電極的電性,使得在所述第一電極上形成第三納米材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,在所述第二電極上形成第一納米材料層的步驟之后,還包括:
提供第四溶液,所述第四溶液包括具有所述第一電性或所述第二電性的第四納米材料;
提供與所述第一電極以及所述第二電極絕緣的第三電極,所述第三電極具有所述第一電性或所述第二電性,使得在所述第三電極上形成第四納米材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,
所述電源的兩極分別與所述第一電極以及所述第三電極電連接以使所述第三電極具有所述第二電性;或者,
所述電源的兩極分別與所述第二電極以及所述第三電極電連接以使所述第三電極具有所述第一電性。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,提供所述第一電極、所述第二電極及所述第三電極的步驟,包括:
提供一襯底,在所述襯底上形成電極材料層;
圖案化處理所述電極材料層以形成所述第一電極、所述第二電極以及所述第三電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,所述第一電極與所述第二電極相對(duì)設(shè)置,所述第三電極包括第一部分以及與所述第一部分橋接的第二部分;
所述第一部分位于所述第一電極與所述第二電極之間,所述第二部分位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述第二電極的一側(cè)或所述第二電極遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,所述第一電極包括第一主體以及第一分支電極,所述第二電極包括第二主體以及第二分支電極,所述第三電極包括第三主體以及第三分支電極;
所述第一主體、所述第二主體以及所述第三主體相對(duì)設(shè)置,所述第三主體位于所述第三電極的所述第二部分;
所述第一分支電極、所述第二分支電極以及位于所述第三電極的所述第一部分內(nèi)的所述第三分支電極位于所述第一主體與所述第二主體之間,在與所述第一主體平行的方向上,所述第一分支電極、所述第二分支電極以及所述第三分支電極交替設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料薄膜的制作方法,其特征在于,所述納米材料薄膜為量子點(diǎn)材料薄膜。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括由如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的納米材料薄膜的制作方法所制備的納米材料薄膜。
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